美國 Universitywafer 用于研究和生產的鍺 （Ge） 晶圓

用于制造納米材料的鍺晶片

鍺 （Ge） 晶片是第一個用于制造第一個晶體管的襯底。但與硅相比，Ge 價格昂貴，硅取代 Ge 成為半導體器件中使用最多的材料。但研究人員正在努力用鍺未來芯片取代硅，因為它可以使工業界使集成電路更高效、更靈活、更節能。

（cz） 鍺 （Ge）

基于基因和襯底的 LED，用于芯片的小型化，但正在開發和研究許多其他實施方案，以探索鍺的未來潛力基于本公開的改進的硅錠性能可能包括所得的晶片、所得太陽能電池和其他利用目前公開的鍺富集步驟的應用。鍺的高導電性和低生產成本可以幫助半導體行業制造比硅具有更高功率密度和更低功耗的集成電路。事實證明，Ge 是生產下一代芯片和其他半導體相關應用的更高效、更具成本效益的基板。

以下是一些可用的 CZ Ge 晶圓：

CZ Ge
直徑：200+/-0.1mm
厚度：2+/-0.1mm
表面處理：雙面拋光
S/D：60/40

CZ Ge
直徑：200+/-0.1mm
厚度：4+/-0.1mm
表面處理：雙面拋光
S/D：60/40

Cz Ge
直徑：50+/-0.1mm
厚度：1+/-0.1mm
表面處理：雙面拋光
S/D：60/40

用于長波/中波紅外實驗的鍺晶片

鍺 （Ge） 襯底

我們有大量的電氣和光學級鍺單面和雙面拋光晶片庫存，隨時可以發貨。

雜質原子被稱為雜質的五倍，因為最外層的五個價電子與相鄰原子共享一個自由電子。每個電子在每個原子上都有一個電子，因此原子處的自由電子總數隨著彼此之間的距離而增加。