熱離子發射器（TE）
在熱離子狀態下工作的陰極被加熱到高溫。當電子有足夠的熱能來克服制造陰極的材料的功函數時，就會發生發射。
我們的熱離子陰極由六硼化鑭 （LaB6） 和六硼化鈰 （CeBix?） 的 Sl.均 LaB6和 CeBix? 是低功函數材料，可生產相對高亮度的陰極，具有適度的真空要求和較長的保質期。這些陰極可在高達 20 A/cm 的電流密度下提供長期、穩定的運行2，使其成為 SEM、TEM、電子束滅菌、表面分析和計量等小光斑應用以及 X 射線生成、光刻和增材制造等大電流應用的理想選擇。
在 APT，我們種植和制造自己的高質量單晶 LaB6和 CeBix? 內部使用一種工藝，生產市面上最純凈和最低的功函數材料。精煉后，我們的硼化物可以定制成各種形狀，具有不同的加熱、安裝和底座配置，所有這些都旨在滿足客戶的操作和性能要求。
功函數略低于 LaB6，CeBix? 陰極在略低的工作溫度下產生更高的電流。因此，CeBix? 源的亮度略高，使用壽命更長。APT 是世界上唯一的 CeBix? 陰極商業生產商。
還可以提供 LaB6和 CeBix? 單晶棒和圓盤。
冷場發射器?（CFE）
與熱離子和熱場發射器不同，CFE 在室溫下工作。當響應強電場的應用而發射電子時，就會發生場發射。為了實現這個高場，單晶鎢被蝕刻到顯微鏡下鋒利的尖端。CFE 是非常高亮度的光源，因此在需要高電流密度和可實現極高真空條件的應用中表現出色。
在 APT，我們在內部種植和加工自己的單晶鎢。我們的蝕刻工藝可以根據客戶的要求進行定制，并受到嚴格控制以保證質量和一致性。APT 可以為 CFE 提供任何發射極基座/抑制器配置，包括 FEI/Philips、Denka、Hitachi、JEOL 和定制配置。
鋯鎢 （ZrOW）?熱場發射器?（TFE）
熱場發射器 （TFE） 與熱電子發射器一樣被加熱，但也經過電化學蝕刻，具有顯微鏡下鋒利的尖端，類似于冷場發射器的方式。由于發射器的清晰度及其在操作過程中指向抑制器的方向，在源尖端會產生非常高的電場。場對勢壘的降低以及通過加熱提供給電子的熱能產生了能夠在非交叉模式（或虛擬源模式）下運行的源。因此，與熱離子發射器不同，TFE 不受空間電荷限制，并且比典型的熱離子源亮幾個數量級。
APT 現在提供鋯鎢熱場發射器 （ZrOW TFE），俗稱肖特基源。ZrOW TFE 是行業標準發射器，適用于需要高亮度、提高空間分辨率、穩定發射和長壽命的電子束應用。我們的 ZrOW 源符合一般 OEM 性能規格和操作參數，可以制造成定制的端形（半徑）幾何形狀和任何發射極基座/抑制器配置，包括 FEI/Philips、Denka、Hitachi、JEOL 或定制配置。
數十年的研究、開發和電子源制造，APT對電子發射物理學的深入了解，成為世界領先的商用熱敏、場發射和熱場發射陰極生產商，這些產品用于顯微鏡、微量分析、X 射線生成、光刻、增材制造或任何其他需要高亮度源的電子束應用。
APT的研發團隊與客戶合作，設計定制的陰極以滿足客戶需求。
使用此圖表可比較我們的 TE、CFE 和 TFE?離子源的一般操作要求和性能規格：
