Beam Imaging BOS-40-IW光束觀察系統(tǒng)、MCP和P-43熒光屏組件、可連接到線性運動饋通

Beam Imaging BOS-40-IW光束觀察系統(tǒng)、MCP和P-43熒光屏組件、可連接到線性運動饋通

90度BOS，它允許光束與成像平面成90度角進(jìn)行遠(yuǎn)程成像。BOS-40-IW可以連接到一個線性運動饋通裝置上，并放置在光束內(nèi)和光束外，以便在真空室深處進(jìn)行遠(yuǎn)程成像。

產(chǎn)品概述

光束成像解決方案(BIS)介紹了90度BOS，它允許光束與成像平面成90度角進(jìn)行遠(yuǎn)程成像。BOS-40-IW可以連接到一個線性運動饋通裝置上，并放置在光束內(nèi)和光束外，以便在真空室深處進(jìn)行遠(yuǎn)程成像。通過將標(biāo)準(zhǔn)BOS MCP/熒光屏疊層安裝到金屬外殼上來實現(xiàn)成像，該金屬外殼具有相對于成像平面成90度安裝的鏡子。外殼是楔形的，以最小化成像器的物理尺寸，并且具有用于連接到線性運動饋通的方便點。電連接是通過將柔性電絕緣導(dǎo)線從電饋通裝置連接到楔形物上的連接塊來實現(xiàn)的。在他們的標(biāo)準(zhǔn)形式，可與微通道板/磷光裝配安裝到楔形外殼與電氣連接塊。BOS-IW套件也可用，并包括BOS-IW單元與電氣饋通，視口，線性運動饋通和相機系統(tǒng)。

Imaging Area40mm Diameter
MCP (Standard)1.975″ Diam. (BOS-40-IW), 10 micron channel diameter, Imaging Grade, 40mm active area, 12 micron pitch, 8° Bias Angle, 46:1 Aspect Ratio (Standard, BOS-40-IW), Max. Gain: 2 x 104 (single plate, Std.) 1000V > 107 (chevron, OPT-01), 2000V
Phosphor Screen (Standard)P-43 with aluminum overcoat. P-43 Peak Wavelength: λ= 545 nm.
Power Supply Requirements0 – + 1000V, 1mA single MCP (Standard), 0 – + 2000V, 1mA dual MCP (OPT-01), 0 – + 5000V, 1 mA Phosphor Screen
Beam Energy Range1 eV to over 50 keV
Beam Current Range< 10 μA (with optional beam attenuation grids)
Vacuum1 x 10-6 Torr or better required to operate MCP, UHV compatible, maximum bakeout temperature 300 C
  • 型號為BOS-40-IW，帶BOS-40-IW-OPT-01雙MCP選項
  • 具有可選涂層的MCP，用于增強UV和X射線的成像(KBr、CsI、Cu、CuI、MgO、Au、MgF2)
  • 高增益和高分辨率MCP
  • 具有匹配特性阻抗的微通道板

P-43是標(biāo)準(zhǔn)的，但是也可以使用其他磷光體，包括P1、P11、P15、P20、P22、P24、P31、P45、P46、P47、P48和P53。如需更多信息，請參閱我們的磷光屏頁面。屏幕有一個標(biāo)準(zhǔn)的鋁涂層，但銦錫氧化物(ITO)內(nèi)涂層也可用。

圖像處理系統(tǒng)(可選)

  • IPS-1型(幀抓取器(PCI總線)、電纜、軟件)

電源(可選)

  • MCPPS-1型(MCP電源，單MCP，0-1kV)
  • MCPPS-2型(MCP電源，雙MCP，0-2kV)
  • PHSPS-1型(熒光屏電源，0-5kV)

雜項選項

  • 射束衰減柵格(90%、99%、99.9%)
  • 確定所需衰減網(wǎng)格數(shù)量時，請使用以下標(biāo)準(zhǔn):
    • Ion beams greater than 3.2 nA/mm2, 90% beam attenuation (1 grid)
    • Ion beams greater than 31.8 nA/mm2, 99% beam attenuation (2 grids)
    • Ion beams greater than 318.nA/mm2, 99.9% beam attenuation (3 grids)
  • 電子抑制柵極

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