氧化物晶片和襯底
用于高溫超導體的襯底:
SrTiO3、MgO、LaAlO3、Al2O3、NdGaO3、Y:ZrO2、雙晶Bi…
用于氮化鎵的襯底:
Al2O3、LiAlO2、LiGaO2、SiC、ZnO…
但也可用于其他目的!
有以下襯底材料
部分材料產品詳情:
Al2O3 – Sapphire標準產品:取向:(0001)(1-102)、(11-20)(10-10) 新增! (0001)、偏離0.25°
直徑:2英寸至4英寸 表面:單面/雙面拋光
也可提供即用于外延生長的襯底,例如10 x 10 毫米2
也可以提供其他尺寸和規格
性質:
結構:六方晶體
晶格常數:a: 0.476 納米,c: 1.300 納米
密度:3.97 克/立方厘米
熔點:2053°C
硬度:9(莫氏硬度)
生長方法:EFG法
GGG – 釓鎵石榴石 – Gd3Ga5O12標準產品:
取向:(100),(110),(111)(來自(100)生長的晶體)
尺寸:1英寸,2英寸,10×10毫米2,20×20毫米2
厚度:0.5毫米,1.0毫米
表面:單面/雙面拋光
也可以提供其他尺寸和規格
性質:
結構:立方晶體
晶格常數:a: 1.238 納米
密度:7.1 克/立方厘米
熔點:1730°C
硬度:7.5(莫氏硬度)
生長方法:Czochralski
YAG – 釔鋁石榴石 – Y3Al5O12標準產品:
取向:(100),(110),(111)
尺寸:1英寸,2英寸,10×10毫米2,20×20毫米2
厚度:0.5毫米,1.0毫米
表面:單面/雙面拋光
也可以提供其他尺寸和規格
性質:
結構:立方晶體
晶格常數:a: 1.20 納米
密度:4.56 克/立方厘米
熔點:1940°C
硬度:8.5(莫氏硬度)
生長方法:Czochralski