瑞士IDONUS HF蒸汽相蝕刻機(jī) VPE系列
VPE由反應(yīng)室和蓋子組成。蓋子內(nèi)集成了加熱元件，用于控制待蝕刻基材的溫度。晶圓夾緊有兩種方式：晶圓可以通過使用夾緊環(huán)進(jìn)行機(jī)械夾緊。螺釘從設(shè)備的背面擰入，始終與氫氟酸（HF）蒸汽保持隔離。三顆螺母易于在佩戴防護(hù)手套的情況下操作。另一種選擇是靜電夾緊。單片（長度超過10毫米）以及晶圓均可夾緊在加熱元件上。晶圓的背面受到保護(hù)，避免蝕刻。
液體HF被注入反應(yīng)室后，反應(yīng)室用蓋子封閉。在室溫下生成HF蒸汽，蝕刻過程自發(fā)開始。蝕刻速率由晶圓溫度控制，溫度可調(diào)范圍為35 °C到60 °C。
處理后，酸可以儲(chǔ)存在密封容器中的儲(chǔ)液罐內(nèi)以便重復(fù)使用。液體轉(zhuǎn)移通過降低帶手柄的連接儲(chǔ)液罐來簡單實(shí)現(xiàn)。由于重力作用，酸流入儲(chǔ)液罐，并可以通過兩個(gè)閥門關(guān)閉。通過打開閥門并提升手柄來重新填充反應(yīng)室，酸會(huì)流入反應(yīng)室。酸可用于多次蝕刻，直到需要更換為止。VPE系統(tǒng)占地面積小，易于集成到現(xiàn)有的流動(dòng)箱中。
二氧化硅的蝕刻速率會(huì)隨著反應(yīng)室內(nèi)液體HF的溫度略有變化。HF的溫度取決于潔凈室的環(huán)境溫度。此外，在長時(shí)間的蝕刻過程中，HF會(huì)升溫，導(dǎo)致蝕刻速率從一個(gè)晶圓到另一個(gè)晶圓逐漸增加，直到系統(tǒng)穩(wěn)定。
為了穩(wěn)定蝕刻速率，我們配備了一個(gè)具有溫控液體HF的反應(yīng)室。HF的溫度可以通過額外的控制器進(jìn)行調(diào)節(jié)。將HF酸加熱到一個(gè)閾值溫度以上，可以在蝕刻過程中保持溫度穩(wěn)定。
