硅對紅外光透明。我們的紅外光晶圓檢測顯微鏡（IRM）從基板背面照射硅基材料，并捕捉透過基板的光線。因此，可以檢測傳統(tǒng)顯微鏡無法觀察到的硅基板內(nèi)部現(xiàn)象。
該顯微鏡配備長工作距離物鏡，并帶有三檔變焦，用戶可選擇合適的視野和放大倍率。紅外敏感相機(jī)通過USB將檢測設(shè)備的圖像傳輸至計(jì)算機(jī)。使用5倍物鏡時(shí)，分辨率可達(dá)優(yōu)于3 μm。
此外，該顯微鏡還配備了頂部照明功能，使其可用于常規(guī)模式，并用于檢測晶圓的正面。
紅外顯微鏡配有XY移動平臺，可容納8英寸或更小尺寸的晶圓。平臺采用電機(jī)驅(qū)動，并可通過操縱桿控制。對于實(shí)驗(yàn)室環(huán)境，該顯微鏡還可選配經(jīng)濟(jì)型手動XY移動平臺，以替代全自動裝置。詳情請聯(lián)系我們。
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紅外顯微鏡的特點(diǎn)：
- 背面紅外照明
- 頂部照明
- 適用于8英寸及以下晶圓的XY移動平臺
- 長工作距離物鏡
- 三檔變焦
- 紅外敏感相機(jī)
- 計(jì)算機(jī)端檢測
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 紅外晶圓檢測顯微鏡配備頂部和背面照明，可用于檢測硅基材料內(nèi)部現(xiàn)象，同時(shí)也可作為常規(guī)顯微鏡使用。 |
 紅外和可見光照明強(qiáng)度控制：顯微鏡可用于紅外成像，同時(shí)也可作為常規(guī)顯微鏡，使用頂部可見光照明。 |
應(yīng)用領(lǐng)域：
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優(yōu)點(diǎn)：
- 可靠制造更小的MEMS錨點(diǎn)，提高填充因子
- 頂部和背部照明
- 小巧的占地面積
- 高分辨率（5倍物鏡下小于3微米）
- 易于使用，立即獲得結(jié)果
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 這是在硅絕緣體（SOI）晶圓上制造的微結(jié)構(gòu)部分的頂部視圖。 |
 這是相同區(qū)域經(jīng)過60分鐘HF蒸氣相刻蝕后的紅外圖像。埋藏的SiO2層的下刻蝕變得可見，從而能夠確定已釋放和未釋放的部分。 |
 硅融合鍵合的檢查：在這種情況下，一片經(jīng)過深反應(yīng)離子刻蝕（DRIE）結(jié)構(gòu)化的晶圓與另一片晶圓進(jìn)行了融合鍵合。任何如氣孔或?qū)?zhǔn)問題等故障都可以通過紅外光可視化。 |
 配備成本效益型手動XY平移臺的IR顯微鏡，適用于實(shí)驗(yàn)室使用。 |
Windows的圖形用戶界面允許用戶通過PC操作顯微鏡。它實(shí)現(xiàn)了對顯微鏡的完全控制，并能夠在用戶定義的晶圓網(wǎng)格上自動獲取圖像。
通過自動拍攝晶圓的多個(gè)圖片，可以獲取完整晶圓的高分辨率圖像。這些圖像會拼接成一張大圖并存儲到您的硬盤中。
