硅對(duì)紅外（IR）光透明。idonus 紅外光晶圓鍵合檢測(cè)設(shè)備（WBI） 從硅基襯底的背面照射，并捕捉透過(guò)襯底的光線。因此，該系統(tǒng)能夠檢測(cè)兩個(gè)硅襯底之間的現(xiàn)象，這些現(xiàn)象在外部不可見(jiàn)。
該檢測(cè)設(shè)備配備紅外光源和準(zhǔn)直光學(xué)系統(tǒng)，可用均勻強(qiáng)度的光束照射晶圓。紅外敏感攝像頭通過(guò) USB 連接至計(jì)算機(jī)，并在屏幕上顯示被檢測(cè)襯底的圖像。攝像頭的視野和放大倍率可手動(dòng)調(diào)節(jié)。
idonus 可生產(chǎn)適用于 100 mm、150 mm 和 200 mm 晶圓的紅外檢測(cè)設(shè)備。對(duì)于更小尺寸的晶圓，可使用適配環(huán)進(jìn)行觀察。200 mm 版本配備電動(dòng)晶圓夾持器，支持高倍率下對(duì)整片晶圓的檢測(cè)。
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應(yīng)用領(lǐng)域：
- ?融合連接前后的檢查
- ?硅晶圓/芯片的對(duì)準(zhǔn)
- ?質(zhì)量控制
- ?大型已釋放MEMS設(shè)備的檢查
- ?埋藏材料（例如SOI晶圓）的蝕刻速度測(cè)量
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IR圖像示例：左側(cè)圖像顯示了兩片硅晶圓在融合連接后的情況（圖片由CSEM SA提供）。總厚度為1.0毫米。兩片晶圓之間未連接的區(qū)域通過(guò)干涉圖案可視化。右側(cè)圖像顯示了預(yù)結(jié)構(gòu)化晶圓的連接情況。規(guī)則圖案由蝕刻腔體組成。邊緣處的干涉圖案也表明該區(qū)域的連接不良。
產(chǎn)品規(guī)格
