idonus UV-EXP系列曝光系統專為滿足最嚴格的光質量需求而設計,采用高功率UV-LED光源、優質光均勻器和遠心光學系統。它既可以作為獨立的桌面設備使用,提供足夠的工作空間以容納您的基板,也可以集成到您的系統中。本文將幫助您選擇最適合您需求的型號,并規劃其在您的工作流程中的集成。
光學系統架構

光源單元(UV-EXP-LE)
UV-EXP 系統內部嵌入了我們的高性能 UV LED 光源單元(UV-EXP-LE)。通常,單顆 LED 產生的光波長為 365 nm、385 nm、395 nm、405 nm、435 nm 或這些波長的組合(在我們的標準配置中為 365/405/435 nm)。UV-EXP-LE 通過電子控制精確調節,并通過空氣或水冷卻。安裝在 UV-EXP 背部的電源模塊提供所需的工作電流。
LED 產生的原始光經過一套高級均勻化光學元件處理后,均勻化為一致的光線,然后進入曝光源外殼進一步處理。
機械基礎(UV-MB)和 UV 防護罩(UV-SHIELD)
機械基礎(UV-MB)支撐 UV-EXP 系統,UV 防護罩封閉了工作空間。它被設計為為您的基片和對準工具提供充足的工作空間。四周的 UV 防護罩過濾掉有害的 UV 光,保護您的眼睛和周圍的材料,同時始終保持視覺控制。
曝光源(UV-EXP)
曝光源采用無反射外殼,封閉光源單元并支撐遠心光學系統。準直光學元件將發散的(但已均勻化的)紫外線光線垂直對準您的基片。
該光源是為特定的曝光區域設計的。根據您的基片尺寸,您可以選擇我們的標準尺寸(?150、□150、?200、□200 和 □300 毫米)。也可提供定制尺寸。
控制單元(UV-EXP-CU)和反饋傳感器(UV-SENS-GaP)
曝光系統的操作由 UV-EXP-CU 控制單元控制。通過紫外線和溫度傳感器的反饋回路,UV-EXP-CU 控制功率、曝光時間、輻照度或劑量。系統提供了安全互鎖功能。
也可以提供遠程控制單元 UV-EXP-RCPU,以便與您的現有設備協議進行集成。
UV-EXP產品線
|
|
|
|
|
型號 | UV-EXP150R-SYS | UV-EXP150S-SYS | UV-EXP200S-SYS 或 UV-EXP200R-SYS | UV-EXP300S-SYS |
---|---|---|---|---|
曝光區域 | ? 150 mm | 150 × 150 mm2 | 200 × 200 mm2 或 ? 200 mm | 300 × 300 mm2 |
波長 | 365 nm 和/或 385 nm / 395 nm / 405 nm / 435 nm(一個波長為標準)
所有型號可配置多波長峰值的 UV-LED(例如,1LE-3WL:365/405/435 nm 組合) |
|||
輻照度(@ 365 nm) | 40 mW/cm2 | 40 mW/cm2 | 25 mW/cm2 | 12 mW/cm2 |
輻照度(@ 385、395 和 405 nm) | 50 mW/cm2 | 50 mW/cm2 | 30 mW/cm2 | 17 mW/cm2 |
輻照度不均勻度 *1 | ±3% | ±3% | ±3% | ±3% |
準直角度 *2(±α,FWHM c) | ±1.8° | ±1.8° | ±1.4° | ±0.9° |
工作距離(WD) | 350 mm | 300 mm | 400 mm | 300 mm |
選項 | ? 可調準直角度 – UV-ACA:手動更換孔徑以減少準直角度,輻照度會受到影響。該模塊安裝在光源上,UV-EXP 配有手動更換孔徑的開口 ? 水冷 – UV-WA:適用于連續使用,提供高度穩定的輸出 ? 光源升級為 2× 或 3× LED,具有不同波長 –(2LE 或 3LE):提高使用的多功能性(UV-EXP 配有外部可操作的機械開關,用戶可以選擇使用的 LED) ? 樣品夾具:用于軟接觸或真空接觸的基片和掩模夾具(Chuck): ? ? 2’’ ? ? 3’’ ? ? 100 mm ? ? 150 mm ? ? 200 mm ? ? 300 mm |
*1 輻照度不均勻度表示為 ±C,其中 C 是 Michelson 對比度比率:C = (最大值 – 最小值) / (最大值 + 最小值)。
*2 為避免歧義,半角用 ? 表示,全角用 2? 表示。因此,準直角度為 2? 或 ±?,如數據表中所示。
c FWHM:半最大寬度 (Full Width at Half Maximum)。
高功率 UV-LED 源

我們的 UV-EXP 曝光系統集成了高功率發光二極管(LED)來生成紫外光。與傳統系統中使用的汞(Hg)燈相比,LED 具有許多優勢,正在推動整個行業的轉型。下表中列出了 LED 技術的主要技術特點,而圖 2 中展示了與 UV 光刻相關的 4 個波長的光譜分布。
365 nm 的 UV-LED 提供了最佳的多功能性,并且是我們推薦的大多數應用的選擇。對于過程效率至關重要的參數,385 nm 是某些光刻膠的最佳選擇。
2LE 或 3LE 選項允許在曝光單元上安裝 ×2 或 ×3 個 LED,并可以在需要時在幾秒鐘內手動切換。
高功率 UV-LED | |
光譜 |
|
壽命 | 壽命 >10,000 小時(實際曝光時間) |
穩定性 |
|
環境影響 |
|
光照質量

光刻工藝要求照射晶圓的光源具有 均勻性、準直性和遠心性。
均勻性 確保整個光刻膠表面獲得一致的曝光/固化水平,典型的照度不均勻性要求低于 ±5%。我們的 UV-EXP 產品保證 ±3% 的均勻性,優于大多數競爭對手。每臺 UV-EXP 出廠前都會在 4000 多個點掃描照射區域,確保均勻性。
準直角(collimation angle)在 ±1° 至 ±2° 之間(具體取決于型號)。該角度足夠小,可用于 精細結構曝光,同時適用于 厚光刻膠層。
UV-ACA(可調準直角) 選項提供一組可更換的固定光闌,可用于 進一步降低準直角,但會相應降低照度輸出。

UV-EXP-CU 控制單元與反饋控制

UV-EXP-CU 控制單元(第二代型號,默認包含)可實現對曝光參數的全面控制:
- 曝光時長:0.1 至 600 秒
- 電流控制:調節 LED 供電電流,范圍為額定電流的 10% 至 100%
- 輻照度控制:從最低 5 mW/cm2 至系統最大輻照度
- 劑量控制:總劑量(輻照度 × 時間)范圍 10 至 9,000 mJ/cm2
- 光譜功率分布 (SPD) 調節:適用于多波長光源,支持全光譜分布控制
精準輸出由磷化鎵 (GaP) UV-SENS GAP 傳感器(系統標配)確保,該傳感器安裝在 UV-EXP 機身上,并通過閉環反饋控制調節輻照度。
此外,光源引擎的溫度實時測量與顯示,冷卻系統自動調節以維持安全工作溫度。
- 標準冷卻方式:空氣冷卻熱管系統
- 水冷選項 (UV-WA):推薦用于長時間工作,以確保更高的工藝穩定性
遠程控制選項

- UV-EXP-RCU 遠程控制單元(可選)適用于 OEM 集成商
- 通過ModBus TCP 協議實現主控系統直接控制
- 支持脈沖操作
如需 UV-EXP-RCU 的詳細技術文檔,請聯系銷售團隊。
|
|