Innolume GCB0780030TC030MXXXX 增益芯片TO 封裝
Innolume增益芯片 (TO 封裝)
增益芯片是構(gòu)建可調(diào)諧二極管激光器或高穩(wěn)定性外腔二極管激光器的增益介質(zhì)的不可替代的元件。增益芯片與半導(dǎo)體激光管芯片相似,不同之處在于它在一個(gè)或兩個(gè)面上都有很深的抗反射涂層,這顯著增加了自激光的閾值或消除了它。
典型的外腔二極管激光器配置是 Littrow 腔和 Littman/Metcalf 腔。對(duì)于 Littrow 配置,安裝衍射光柵的方式是所需波長(zhǎng)的光沿入射光束衍射回來。
通過旋轉(zhuǎn)光柵來掃描波長(zhǎng)。通常,腔內(nèi)消色差透鏡用于在相對(duì)較大的光柵區(qū)域上準(zhǔn)直膨脹光束。零級(jí)衍射光束可用作輸出激光束。Innolume Gain-chip 產(chǎn)品線細(xì)分為兩大類:
- 單側(cè)光接入(A 型和 B 型)
- 兩側(cè)光接入(C 型和 D 型)
單側(cè)光訪問增益芯片是在輸出功率從外腔外耦合的方案中運(yùn)行的理想元件。通常,它們采用 TO-can 封裝。
兩側(cè)光接入增益芯片可用于允許直接從增益芯片面進(jìn)行功率輸出耦合以減少光損耗的方案,或用于放大的光學(xué)方案。
A 型 Gain-chip 具有垂直于刻面的直條紋,具有高反射 (HR) 和深減反射 (AR) 涂層。這是構(gòu)建外腔二極管激光器的最具成本效益的解決方案。A 型 GC 具有對(duì)稱光束遠(yuǎn)場(chǎng),使用高 NA 非球面透鏡為外腔和外腔提供有效耦合。與其他類型的 Gain 芯片相比,這種類型的增益頻譜紋波抑制相對(duì)較低。這是因?yàn)?AR 涂層刻面的反射率為 0.1%,并且可以通過僅使用彎曲的條帶到刻面設(shè)計(jì)來進(jìn)一步減少。
B 型 GC 具有彎曲的條紋,正常側(cè)帶有 HR-,傾斜側(cè)有深 AR 涂層。曲面條紋與深 AR 涂層相結(jié)合,提供極低的反射 (< 10E-5),從而抑制自激光并最大限度地減少增益紋波。彎曲條紋的缺點(diǎn)是輸出光束的失真,使準(zhǔn)直變得不便,并降低了反向耦合的效率。必須使用高 NA 光學(xué)元件。
C 型 GC 在傾斜側(cè)有彎曲的條紋和深的 AR 涂層,在法向側(cè)有百分之幾的反射。波長(zhǎng)選擇反饋必須位于傾斜側(cè)(與 B 型具有相同的優(yōu)點(diǎn)和缺點(diǎn)),而輸出功率從正常側(cè)輸出。這種設(shè)計(jì)允許高輸出功率和相對(duì)較好的輸出光束。具有正常條紋的刻面的反射必須根據(jù)系統(tǒng)的配置和所需的輸出功率進(jìn)行單獨(dú)設(shè)計(jì)。
D 型 GC 有一個(gè)傾斜的條紋,兩側(cè)都有一個(gè)很深的 AR,通常用于需要內(nèi)置放大裝置的高級(jí)光學(xué)方案。創(chuàng)新的刻面涂層技術(shù),包括刻面鈍化,滿足高可靠性要求。ISO9001:2008 一致性生產(chǎn)基于精心的設(shè)計(jì)、制造和廣泛的測(cè)試。每個(gè)設(shè)備都經(jīng)過單獨(dú)測(cè)試,并附帶一組指定的測(cè)試數(shù)據(jù)。
Innolume增益芯片主要特點(diǎn)
- 針對(duì)外腔中的波長(zhǎng)鎖定操作進(jìn)行了優(yōu)化。
- 寬廣的自由跳動(dòng)調(diào)諧范圍。
- 高 SMSR。
- 在最大工作電流下無自激光。
- TE 極化。
Innolume增益芯片型號(hào):