德國Sglux-SiC UV Photodiodes-UVB+UVC 碳化硅紫外光電二極管

SiC UV PhotodiodesUVB+UVC

碳化硅紫外光電二極管

光譜靈敏度從231到309納米,峰值波長280納米,
不同的包裝,按探測器區(qū)域分類。

型號:

SG01S-BC18,UVB+UVC,芯片有效面積= 0.06 mm,TO18外殼

SG01M-BC18,UVB+UVC,芯片有效面積= 0.20 mm,TO18外殼

SG01M-BC5,UVB+UVC,芯片有效面積= 0.20 mm,TO5外殼

SG01D-BC18,UVB+UVC,芯片有效面積= 0.50 mm,TO18外殼

SG01D-BC18ISO90,UVB+UVC,芯片有效面積= 0.50 mm,TO18外殼,隔離

SG01D-B5,UVB,芯片有效面積= 0.50 mm,TO5外殼

SG01L-BC18,UVB+UVC,芯片有效面積= 1.00 mm,TO18外殼

SG01L-BC5,UVB+UVC,芯片有效面積= 1.00 mm,TO5外殼

SG01XL-BC5,UVB+UVC,芯片有效面積= 7.60 mm,TO5外殼


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