Quartz Wafer
石英晶片
- 庫存編號–101400
- MOC–石英(二氧化硅)
- 純度–大于99.99%
- 顏色-透明
- 軟化點–1710℃
- 最高工作溫度–1160°C
- 密度–3.58克/立方厘米
- 形狀–矩形或圓形
- 厚度–0.4毫米、0.5毫米、0.7毫米和1.0毫米
- 直徑–10毫米至200毫米
- 方向–< 100 > < 110 > < 111 >
- 透射率–251-2500納米時大于90%,200-250納米時大于80%
- 均方根粗糙度–< 10
- 表面拋光–SSP(單面)或DSP(雙面)
- 儲存–在室溫下
- 交付方式–空運、運輸或海運
- 包裝——根據數量裝在晶圓載具中
- 可用包裝尺寸–1、5、10、25、100及更多
石英晶片的完整描述
石英晶圓具有許多獨特的特性和性質,如高抗腐蝕性、高光學透過率、低介電損耗、良好的熱導率和高工作溫度。石英是高度純凈的,因此具有較高的工作和熔化溫度。其三維網狀結構具有出色的紫外透明性、耐熱沖擊性和接近零的熱膨脹。由于其純度,石英的熱學和光學性質優于其他玻璃材料,非常適用于制造半導體和實驗室設備。
石英晶片的制造工藝
石英晶圓可以制造成不同的尺寸、厚度,并且可以單面或雙面拋光。熔融石英晶圓設計和開發成圓形或方形,具有平坦的SEMI或平坦表面,尺寸范圍從1到12,厚度范圍為0.4、0.5、0.7、1.1到3毫米。
石英晶片的工作機理
石英單晶體的加工通常通過水熱合成進行。在裝有NaOH的容器內(右圖),石英原料被放置在底部,主要是高質量的熔融石英碎片。通過這種方式,石英在約400°C的溫度和1000-1500巴的壓力下,從NaOH的飽和溶液中結晶化,而溫度略低于容器底部存在的SiO2源。
石英晶體的生長需要數小時或數天,形成重達數千克的單晶結構。生成的石英單晶在切割成晶片后進行拋光,最終形成石英晶圓。通常有四種切割類型,包括“X-Cut”、“Y-Cut”、“AT-Cut”和“ST-Cut”,它們在晶格的不同方向上發展,定義了表面的取向。
石英晶片基底具有高熱導率、高抗腐蝕性、高工作溫度特性和優異的光學透過率。在物理狀態下它非常脆弱,因此必須將其包裝在晶圓載體中。我們提供單晶片載體和多晶片載體。
石英晶片應用
- 半導體
- 光罩
- 微波濾波器
- 光學透鏡
- 用于光纖