美國 Universitywafer 雙面拋光 （DSP） 硅晶片

雙面拋光 （DSP） 硅晶片

我們提供大量超平雙面拋光優質和測試級硅晶片，涵蓋各種直徑、厚度、方向和電阻率。我們的總厚度變化庫存中只有 1 微米的 TTV。

為了增加硅晶片的平整度，就是要對晶片的背面進行拋光。雙面拋光有助于降低硅晶片表面的粗糙度。在制造需要超平面和低粗糙度規格的 MEMS 器件時，這是必須的。

除非另有說明，否則以下是?CZ 晶圓。晶圓是 SEMI prime，具有一個或兩個平面或缺口。總厚度變化為 <1 μm，弓形 <5μm，翹曲為 <10μm。所有晶圓均為 Prime 級，并裝在密封的硬塑料盒中運輸。

雙面拋光硅片應用的優勢

光學相干斷層掃描 （OCT）?是用于制造半導體元件的最重要工具之一。其精確的厚度測量使其能夠制造高質量的硅晶片。該系統非常適合制造硅器件，例如高頻集成電路。它還有助于改進制造工藝，對廣泛的工業應用有效

雙面拋光硅片最重要的特性是其改進的性能。其鏡面處理消除了表面的微粗糙和損傷，從而提高了效率并降低了污染風險。該過程涉及幾個步驟，有助于確保高質量和一致的表面處理。本文將概述雙面拋光的好處以及它如何使您的業務受益。對于半導體來說，這是一種經濟高效的選擇。

雙面拋光硅片的主要優勢是其卓越的性能。晶片的兩面都經過拋光至鏡面光潔度。因此，表面污染顯著減少。該工藝還可有效降低顆粒捕獲的風險，而顆粒捕獲會導致性能不佳和效率低下。拋光工藝還使硅晶片比普通晶片更薄，從而形成單鑄錠制造方法。