美國(guó) Universitywafer 超薄硅片 1 微米 TTV，低粗糙度

美國(guó) Universitywafer 超薄硅片 1 微米 TTV，低粗糙度

我們提供大量超平雙面拋光優(yōu)質(zhì)和測(cè)試級(jí)硅晶片，涵蓋各種直徑、厚度、方向和電阻率。我們的總厚度變化庫(kù)存中只有 1 微米的 TTV。

為了增加硅晶片的平整度，就是要對(duì)晶片的背面進(jìn)行拋光。雙面拋光有助于降低硅晶片表面的粗糙度。在制造需要超平面和低粗糙度規(guī)格的 MEMS 器件時(shí)，這是必須的。

什么是超薄硅片應(yīng)用？

標(biāo)準(zhǔn)硅片對(duì)于許多應(yīng)用來(lái)說(shuō)太厚太笨重，這可能會(huì)導(dǎo)致尺寸、重量和性能方面的問(wèn)題。

解決方案：我們的超薄硅片非常適合傳統(tǒng)硅片無(wú)法滿(mǎn)足的廣泛應(yīng)用。我們的薄硅片厚度從 5 微米到 100 微米不等，直徑從 5 毫米到 6 英寸，是真正的鏡面 DSP，表面平整度好，無(wú)霧，無(wú)空隙，具有低表面粗糙度 （RMS）（典型 1-2nm）和超平 TTV（通常小于 +/-1μm）。

150mm （6“）特殊薄硅片

  • 100um+/-10um 6“ 薄硅，SSP，最少訂購(gòu) 5 個(gè)晶圓。
  • 100um+/-5um 6“ 薄硅，DSP，最少訂購(gòu) 5 個(gè)晶圓。
  • 100um+/-1um 6“ 薄硅，DSP，最少訂購(gòu) 10 個(gè)晶圓。
  • 25um+/-1um 6“ 薄硅，DSP，最少訂購(gòu) 5 個(gè)晶圓。

薄硅應(yīng)用

  • 微機(jī)電系統(tǒng)
  • CMOS
  • 記憶
  • 圖像傳感器
  • Light Emitting Diode-發(fā)光二極管
  • 中介層
  • 射頻 （RF） 設(shè)備

用于 MEMS 的薄硅片

MEMS 器件用于各種行業(yè)，但它們的制造既精細(xì)又耗時(shí)。

制造 MEMS 器件的最常見(jiàn)方法是使用硅晶片作為襯底。然而，這些晶片非常薄，很容易損壞。

我們的硅晶片比人的頭發(fā)還細(xì)，可用于制造 MEMS 器件，而不會(huì)損壞基板。這將節(jié)省您的時(shí)間和金錢(qián)，同時(shí)確保您的設(shè)備采用最優(yōu)質(zhì)的材料制成。


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