法國3SP Technologies 1953LCV1激光芯片,進口微型硅芯片,3SP Technologies 半導體激光芯片

3SP Technologies 1953LCV1芯片是一款包含氣源的高性能DFB芯片分子束外延（GS-MBE）應變層多量子阱（SLMQW）垂直結構和掩埋脊帶（BRS）結構。

3SP Technologies 1953LCV1通過金屬有機氣相沉積（MOVPE）再生生長實現的BRS結構在2“晶片上進行，而刻面涂層在棒上進行。該產品適用于整個C波段（1529nm–1570nm）

法國3SP Technologies 1953LCV1激光芯片特點

分布式反饋（DFB）

激光

InGaAsP應變量子

InP上的阱激光器結構

埋藏山脊條紋（BRS）

近光發散

（FWHM）為25°x 25°

輸出功率：20mW、40mW

和60mW

C波段（1529nm–1570nm）

50 GHz波長間隔

3SP Technologies 開發、制造和銷售由內部 III-V 族芯片驅動的有源光電元件。 該公司還利用其相關的外延和晶圓加工專業知識提供代工服務。我們的使命是提供創新的解決方案，包括泵浦激光器和集成激光調制器，以滿足客戶的需求。

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