金（Au）涂層 硅晶片和芯片

所有涂層均在高真空條件下通過電子束蒸發沉積而成。應用領域包括納米技術、生物技術和原子力顯微鏡應用。

在硅和金涂層之間使用薄鉻附著層。該附著層為可選項，也可根據要求用鈦代替。所有晶圓均在潔凈室環境中包裝，并以單獨的晶圓載體裝運。

基底
硅晶片（特級）

類型/摻雜劑： P/硼
方向 <100>
電阻率： 1-50 Ω-cm
正面：拋光
背面：蝕刻
涂層
金，Au

純度： 99.999
沉積技術： 電子束蒸發
沉積速率： 1-2 ?/s 1-2 ?/s
工藝壓力 ≤ 2E-6 Torr
附著層 鉻 (99.95 %)