HiPIMS高功率脈沖磁控濺射技術
高功率脈沖磁控濺射HiPIMS是磁控濺射領域的一項前沿技術突破。該技術采用特殊電源系統，通過產生高能量短脈沖生成高密度等離子體放電，使被濺射原子實現高度電離（傳統磁控濺射中鍍膜材料大多保持中性）。電離流的定向控制可顯著增強鍍膜特性的可控性。
聯系我們
技術原理
HiPIMS技術通過極高峰值電壓與電流密度，以短脈沖（典型脈寬50-200微秒）、低頻率（約500赫茲）及長周期間歇（最低可達百分之一秒級）的方式作用于濺射靶材。其占空比通常控制在10%范圍內，既能維持工藝穩定性，又可最大限度減少熱效應。
性能優勢
HiPIMS技術能有效改變成膜形態與結構，顯著優化薄膜的致密性、硬度、表面形貌、折射率和附著強度等關鍵性能。
專業解決方案
Angstrom Sciences開發出系列專用濺射陰極，可承受極端功率密度并滿足連續化生產需求。除了專利湍流靶材冷卻技術外，我們的HiPIMS陰極在陽極體與安裝法蘭中集成多通道冷卻系統，確保工藝過程中始終維持最佳冷卻狀態。
核心技術特征
被動/主動復合磁陣系統：保障靶面磁場強度在整個靶材壽命期內保持穩定，這對減少電弧效應和實現最優電離率至關重要
實體陽極結構：為HiPIMS等高功率長時運行工藝提供持續穩定的重復性性能
產品系列
提供圓形、線性及圓柱形全系列HiPIMS磁控管設計。
過程監控系統
同步提供Plasus EMICON FS系統——集快速光譜與電學監測于一體的工業級解決方案，可對HiPIMS及脈沖直流濺射等脈沖等離子體工藝進行脈沖級實時過程監控。其突破性時間分辨率樹立了工業過程控制的全新國際標準。
