HiPIMS高功率脈沖磁控濺射技術(shù)
高功率脈沖磁控濺射HiPIMS是磁控濺射領(lǐng)域的一項(xiàng)前沿技術(shù)突破。該技術(shù)采用特殊電源系統(tǒng)，通過產(chǎn)生高能量短脈沖生成高密度等離子體放電，使被濺射原子實(shí)現(xiàn)高度電離（傳統(tǒng)磁控濺射中鍍膜材料大多保持中性）。電離流的定向控制可顯著增強(qiáng)鍍膜特性的可控性。

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技術(shù)原理
HiPIMS技術(shù)通過極高峰值電壓與電流密度，以短脈沖（典型脈寬50-200微秒）、低頻率（約500赫茲）及長(zhǎng)周期間歇（最低可達(dá)百分之一秒級(jí)）的方式作用于濺射靶材。其占空比通常控制在10%范圍內(nèi)，既能維持工藝穩(wěn)定性，又可最大限度減少熱效應(yīng)。

性能優(yōu)勢(shì)
HiPIMS技術(shù)能有效改變成膜形態(tài)與結(jié)構(gòu)，顯著優(yōu)化薄膜的致密性、硬度、表面形貌、折射率和附著強(qiáng)度等關(guān)鍵性能。

專業(yè)解決方案
Angstrom Sciences開發(fā)出系列專用濺射陰極，可承受極端功率密度并滿足連續(xù)化生產(chǎn)需求。除了專利湍流靶材冷卻技術(shù)外，我們的HiPIMS陰極在陽極體與安裝法蘭中集成多通道冷卻系統(tǒng)，確保工藝過程中始終維持最佳冷卻狀態(tài)。

核心技術(shù)特征

• 被動(dòng)/主動(dòng)復(fù)合磁陣系統(tǒng)：保障靶面磁場(chǎng)強(qiáng)度在整個(gè)靶材壽命期內(nèi)保持穩(wěn)定，這對(duì)減少電弧效應(yīng)和實(shí)現(xiàn)最優(yōu)電離率至關(guān)重要

• 實(shí)體陽極結(jié)構(gòu)：為HiPIMS等高功率長(zhǎng)時(shí)運(yùn)行工藝提供持續(xù)穩(wěn)定的重復(fù)性性能

產(chǎn)品系列
提供圓形、線性及圓柱形全系列HiPIMS磁控管設(shè)計(jì)。

過程監(jiān)控系統(tǒng)
同步提供Plasus EMICON FS系統(tǒng)——集快速光譜與電學(xué)監(jiān)測(cè)于一體的工業(yè)級(jí)解決方案，可對(duì)HiPIMS及脈沖直流濺射等脈沖等離子體工藝進(jìn)行脈沖級(jí)實(shí)時(shí)過程監(jiān)控。其突破性時(shí)間分辨率樹立了工業(yè)過程控制的全新國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)。