Beam Imaging BOS-40-IW光束觀察系統、MCP和P-43熒光屏組件、可連接到線性運動饋通

Beam Imaging BOS-40-IW光束觀察系統、MCP和P-43熒光屏組件、可連接到線性運動饋通

90度BOS，它允許光束與成像平面成90度角進行遠程成像。BOS-40-IW可以連接到一個線性運動饋通裝置上，并放置在光束內和光束外，以便在真空室深處進行遠程成像。

產品概述

光束成像解決方案(BIS)介紹了90度BOS，它允許光束與成像平面成90度角進行遠程成像。BOS-40-IW可以連接到一個線性運動饋通裝置上，并放置在光束內和光束外，以便在真空室深處進行遠程成像。通過將標準BOS MCP/熒光屏疊層安裝到金屬外殼上來實現成像，該金屬外殼具有相對于成像平面成90度安裝的鏡子。外殼是楔形的，以最小化成像器的物理尺寸，并且具有用于連接到線性運動饋通的方便點。電連接是通過將柔性電絕緣導線從電饋通裝置連接到楔形物上的連接塊來實現的。在他們的標準形式，可與微通道板/磷光裝配安裝到楔形外殼與電氣連接塊。BOS-IW套件也可用，并包括BOS-IW單元與電氣饋通，視口，線性運動饋通和相機系統。

Imaging Area40mm Diameter
MCP (Standard)1.975″ Diam. (BOS-40-IW), 10 micron channel diameter, Imaging Grade, 40mm active area, 12 micron pitch, 8° Bias Angle, 46:1 Aspect Ratio (Standard, BOS-40-IW), Max. Gain: 2 x 104 (single plate, Std.) 1000V > 107 (chevron, OPT-01), 2000V
Phosphor Screen (Standard)P-43 with aluminum overcoat. P-43 Peak Wavelength: λ= 545 nm.
Power Supply Requirements0 – + 1000V, 1mA single MCP (Standard), 0 – + 2000V, 1mA dual MCP (OPT-01), 0 – + 5000V, 1 mA Phosphor Screen
Beam Energy Range1 eV to over 50 keV
Beam Current Range< 10 μA (with optional beam attenuation grids)
Vacuum1 x 10-6 Torr or better required to operate MCP, UHV compatible, maximum bakeout temperature 300 C

雙MCP系統、MCP涂層和MCP類型:

  • 型號為BOS-40-IW，帶BOS-40-IW-OPT-01雙MCP選項
  • 具有可選涂層的MCP，用于增強UV和X射線的成像(KBr、CsI、Cu、CuI、MgO、Au、MgF2)
  • 高增益和高分辨率MCP
  • 具有匹配特性阻抗的微通道板

P-43是標準的，但是也可以使用其他磷光體，包括P1、P11、P15、P20、P22、P24、P31、P45、P46、P47、P48和P53。如需更多信息，請參閱我們的磷光屏頁面。屏幕有一個標準的鋁涂層，但銦錫氧化物(ITO)內涂層也可用。

圖像處理系統(可選)

  • IPS-1型(幀抓取器(PCI總線)、電纜、軟件)

電源(可選)

  • MCPPS-1型(MCP電源，單MCP，0-1kV)
  • MCPPS-2型(MCP電源，雙MCP，0-2kV)
  • PHSPS-1型(熒光屏電源，0-5kV)

雜項選項

  • 射束衰減柵格(90%、99%、99.9%)
  • 確定所需衰減網格數量時，請使用以下標準:
    • Ion beams greater than 3.2 nA/mm2, 90% beam attenuation (1 grid)
    • Ion beams greater than 31.8 nA/mm2, 99% beam attenuation (2 grids)
    • Ion beams greater than 318.nA/mm2, 99.9% beam attenuation (3 grids)
  • 電子抑制柵極

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