Beam Imaging提供兩種類型的離子槍系統。每個槍包括離子源組件、散熱器、加速和聚焦系統、垂直偏轉板、6英寸長的速度過濾器和速度過濾器保護環控制單元。組件裝配在一個真空外殼中，該外殼配有一個法蘭，用于安裝到客戶的設備上。保護環控制單元可以安裝在標準的19”機架面板中。如果需要，可以訂購定制法蘭和附加端口。當槍需要束減速器時，包括一個適配器法蘭(型號G-1-D和G-2-D離子槍)。波束成像還提供控制單元(E系列)對于上述離子槍系統。控制單元包括操作離子槍所需的所有電源，以及用于離子源和真空計控制的冷卻單元。所有離子束組件也可單獨或成套提供(離子源、熱沉、速度過濾器、提取和聚焦透鏡系統)。這些完整的套件被稱為離子束套件。
G-1和G-1-D型離子槍(不可烘烤)
G-1型可以在500電子伏到10千電子伏(可選20千電子伏)的能量范圍內運行。如果需要小于500 eV的離子束能量，我們推薦使用G-1-D型，它包括400型或450型減速器，可以產生能量低至1 eV的質量選擇離子束。G-1系列的真空外殼由拋光不銹鋼管制成，直徑6英寸，長約19英寸。長度包括500型絕緣子安裝法蘭。當與400型或450型減速器一起使用時，G-1-D的總長度為23 1/8英寸。兩種離子槍外殼都配有一個6英寸內徑的粗抽端口。型號G-1和G-1-D上的標準出口法蘭是一個8”外徑和6”內徑的匯合法蘭。然而，當與減速器(僅400型)一起使用時，G-1-D型有一個2 3/4″出口法蘭。型號G-1和G-1-D都適用于10的真空使用-7?托和不是為烘烤設計的。
G-2和G-2-D型離子槍(可烘烤)
G-2和G-2-D離子槍都設計為在500電子伏到10千電子伏(可選20千電子伏)的能量范圍內工作。然而，配有可選的400型或450型減速器的G-2-D離子槍可以使用到1 eV。G-1和G-2系列離子槍有兩個不同之處。G-2離子槍被設計成可烘烤到200度oc，用于超高真空(UHV)系統。速度過濾器上的電磁線圈封裝在不銹鋼護套中，并由液體冷卻，因此允許更高的電流和磁場強度。BIS推薦將CU-1冷卻裝置用于磁體和離子源冷卻。G-2和G-2-D的尺寸分別與G-1和G-1-D相同。G-2和G-2-D的設計都適合10的真空使用-9托。
| Resolution | M/D M ~ 400 |
|---|---|
| Ion Current | Up to 20 micro-amp focussed, 100 micro-amp unfocussed |
| Ion Source (DC) | Filament 16 V – 20 A, Anode 0 – 150 V, 0.4 A |
| Ion Source (RF) | 0-500Watts at 13.56 MhZ |
| Lens System | 0 – 10 kV, 1 mA Acceleration Voltage, 0 – 10 kV, 0.5 mA Focussing Voltage |
| Vertical Deflection Plates | 0 – 400 V, 1mA |
| Velocity Filter Magnet | Model G-1: 9.5 V, 3 A, Model G-2: 28 V, 14 A Continuous operation |
| Velocity Filter Deflection Plates | 0 – 350 V, 50 mA (Floating outputs) |
| 模型 | G-1, G-1-D, G-2, G-2-D |
附加設備
定制法蘭和端口。定制法蘭和附加端口可與雙離子槍系統一起訂購。接觸束成像為了引用。
400型光束減速器和450型光束減速器。:BIS建議離子束減速器(型號400)用于小于500 eV的離子能量。型號G-1-D和型號G-2-D包括標準型號G-1和G-2，分別帶有可選型號400或型號450減速器和型號400-A適配器法蘭(僅適用于型號400)。
離子槍控制單元:BIS為上述離子槍系統提供控制單元(E系列)。控制單元包括操作離子槍所需的所有電源以及離子源的冷卻單元。真空計控制也包括在內。
波束觀測系統:可選的射束觀察系統(BOS)可以輕松調整離子束的空間輪廓。該系統在離子槍的初始啟動中是一個無價的幫助。
