Beam Imaging RFIS-100離子源裝置、射頻離子源、G-1和G-2型離子槍加速器系統、RF離子源
BIS介紹了新型RFIS-100離子源裝置。RFIS-100被設計成可根據標準進行改裝G-1和G-2型離子槍加速器系統。離子源在13.56 MHz的RF電源下工作，手動調節匹配網絡以產生電感耦合等離子體(ICP)。與標準的Colutron熱陰極DC放電源相比，RF離子源具有許多優點，包括維護間隔時間更長，尤其是使用氧氣和活性氣體時，以及更高的束流。
| Ion Source Flange | 6” (152mm) Conflat |
|---|---|
| RF Power Supply | 13.56MHz, 500W |
| Sputter Target, Metal Ions (Optional) | 200V, 0.5A |
| RF Antenna | 6.5 Turn, 2mm diameter Cu tube, water cooled, 1/8″ VCR |
| Gas Isolator | 10kV Isolation, 1/8” Swagelok input |
| RF Antenna Feedthrough | 5kV Isolation, Copper, 1/8″ VCR |
| Plasma Start Circuit | 12kV Isolation feedthrough |
| Water Cooling Requirement | 1 Liter/min (RF Antenna) |
| Force Air Cooling Requirement | Fan built into Plexiglas Enclosure for High Voltage Safety protection. (Fan Specification:47 CFM, 12VDC, 200mA) |
| RF Match Network | Two Vacuum variable capacitors (Tune, Load), 10-1200 pF, 4kV (Nominal), 6kV (Max), 75A (Manual Tune), Pmax=15kW (@40MHz) |
| RFMB-100 Match Box Input Connections (5) | 2 X 1/4” Swagelok, Water cooling, RF Antenna, 1/8” Swagelok, Source Gas Inlet, RF Type N, Male, BNC, Male, Sputter Target Supply |
| 模型 | RFIS-100, RFIS-101, RFIS-007, RFIS-010, RFMB-100, RFMB-200 |
RFIS-100被設計成可根據標準進行改裝G-1和G-2型離子槍加速器系統。離子源在13.56 MHz的RF電源下工作，手動調節匹配網絡以產生電感耦合等離子體(ICP)。與標準的Colutron熱陰極DC放電源相比，RF離子源具有許多優點，包括維護間隔時間更長，尤其是使用氧氣和活性氣體時，以及更高的束流。除了能夠從氣體中產生離子之外，新的離子源具有通過在放電室中用金屬靶濺射源氣體來產生金屬離子的額外能力。還沒有Colutron離子槍的客戶可以購買新的離子源，以適合他們自己的離子加速器系統。擁有Colutron離子槍的用戶將從離子槍上取下標準的Colutron DC離子源和散熱器組件，并將RF離子源直接連接到Colutron 500型絕緣體法蘭上。射頻源不需要Colutron散熱器即可工作。
