帶液體冷卻電磁體的G-2型可烘烤離子槍。

G-1型不可烘烤離子槍。

Beam Imaging Solutions（BIS）提供兩種離子槍系統。每個噴槍均包括離子源組件，散熱器，加速和聚焦系統，垂直偏轉板，6英寸長速度過濾器和速度過濾器保護環控制單元。組件組裝在配有法蘭的真空外殼中，以便安裝到客戶的設備上。防護環控制單元可以安裝在標準的19英寸機架面板中。如果需要，可以訂購定制法蘭和其他端口。當噴槍需要使用光束減速器時，隨附一個轉接法蘭（G-1-D和G-2-D型離子槍）。Beam Imaging還提供控制單元（E系列）適用于上述離子槍系統。控制單元包括操作離子槍所需的所有電源，以及用于離子源和真空計控制的冷卻單元。所有離子束組件也可單獨購買或成套購買（離子源，散熱器，速度濾鏡，提取和聚焦透鏡系統）。這些完整的套件稱為離子束套件。

G-1和G-1-D型離子槍（不可烘烤）

G-1型可以在500 eV至10 keV的能量范圍內運行（可選20keV）。如果需要的離子束能量小于500 eV，我們建議使用G-1-D型，其中包括400型減速器，并可以產生質量選定的能量低至1 eV的離子束。G-1系列的真空外殼由拋光的不銹鋼管制成，直徑為6英寸，長約19英寸。該長度包括500型絕緣子安裝法蘭。與400型減速器一起使用時，G-1-D的總長度為23 1/8“。兩個離子槍外殼均配有6英寸ID的粗加工端口。G-1和G-1-D型號的標準出口法蘭是8“ OD和6” ID內徑平法蘭。但是，與減速器一起使用時，G-1-D型具有2 3/4“出口法蘭。^-7托，不適用于烘烤。

G-2和G-2-D型離子槍（可烘烤）

G-2和G-2-D離子槍均設計為在500 eV至10 keV（可選20keV）的能量范圍內運行。但是，帶有可選400型減速器的G-2-D離子槍可以在1 eV的電壓下使用。G-1和G-2系列離子槍之間有兩個區別。G-2離子槍設計為可烘烤至200?^o?C，可與超高真空（UHV）系統一起使用。速度濾波器上的電磁線圈被封裝在不銹鋼外套中，并被液體冷卻，從而允許更高的電流和磁場強度。BIS建議使用CU-1冷卻裝置進行磁體和離子源冷卻。G-2和G-2-D的尺寸分別與G-1和G-1-D相同。G-2和G-2-D的設計都非常適合在10?^-9托的真空條件下使用。