德國CrysTec GmbH III-V – 半導體 /II-VI -半導體晶片和襯底

III-V – 半導體 /II-VI -半導體晶片和襯底

  • 基礎半導體(硅、鍺)和半導體化合物(例如GaAs、GaP、InP、InSb、CdTe、ZnSe…)
  • 標準晶片和預制襯底直接從庫存供應,也可單獨購買
  • 可按要求提供特殊形狀的晶體和非標準性能

III-V – 半導體標準產品

直徑:2英寸至3英寸

厚度:300至500微米

取向:(100)(111)(110)

  • 廠家可現貨供應部分產品
  • 根據需求提供其他規格
  • 也可提供單個件

GaAs – 砷化鎵

晶格常數:0.565 納米 摻雜劑:Si、Te、Zn、無摻雜

GaP – 磷化鎵

晶格常數:0.545 納米 摻雜劑:Cr、S、Zn、無摻雜

GaSb – 銻化鎵

晶格常數:0.609 納米 摻雜劑:Te、Si、Ge、無摻雜

InAs – 砷化銦

晶格常數:0.606 納米 摻雜劑:S、Zn、無摻雜

InP – 磷化銦

晶格常數:0.587 納米 摻雜劑:Fe、S、Cd、無摻雜

InSb – 銻化銦

晶格常數:0.648 納米 摻雜劑:Te、Ge、無摻雜

II-VI -半導體標準產品

尺寸:10×10 毫米2,直徑30 毫米

厚度:0.5 毫米,1 毫米

取向:(100)(111)(110)

  • 廠家可現貨供應部分產品
  • 根據需求提供其他規格
  • 也可提供單個件

ZnS – 硫化鋅

晶格常數:0.541 納米

ZnSe – 硒化鋅

晶格常數:0.567 納米

ZnTe – 碲化鋅

晶格常數:0.610 納米

CdS – 硫化鎘

晶格常數:a=0.414 納米,c=0.672 納米

CdSe – 硒化鎘

晶格常數:a=0.430 納米,c=0.701 納米

CdTe – 碲化鎘

晶格常數:a=0.648 納米


Related posts