III-V – 半導體 /II-VI -半導體晶片和襯底
- 基礎半導體(硅、鍺)和半導體化合物(例如GaAs、GaP、InP、InSb、CdTe、ZnSe…)
- 標準晶片和預制襯底直接從庫存供應,也可單獨購買
- 可按要求提供特殊形狀的晶體和非標準性能
III-V – 半導體標準產品
直徑:2英寸至3英寸
厚度:300至500微米
取向:(100)(111)(110)
- 廠家可現貨供應部分產品
- 根據需求提供其他規格
- 也可提供單個件
GaAs – 砷化鎵
晶格常數:0.565 納米 摻雜劑:Si、Te、Zn、無摻雜
GaP – 磷化鎵
晶格常數:0.545 納米 摻雜劑:Cr、S、Zn、無摻雜
GaSb – 銻化鎵
晶格常數:0.609 納米 摻雜劑:Te、Si、Ge、無摻雜
InAs – 砷化銦
晶格常數:0.606 納米 摻雜劑:S、Zn、無摻雜
InP – 磷化銦
晶格常數:0.587 納米 摻雜劑:Fe、S、Cd、無摻雜
InSb – 銻化銦
晶格常數:0.648 納米 摻雜劑:Te、Ge、無摻雜
II-VI -半導體標準產品
尺寸:10×10 毫米2,直徑30 毫米
厚度:0.5 毫米,1 毫米
取向:(100)(111)(110)
- 廠家可現貨供應部分產品
- 根據需求提供其他規格
- 也可提供單個件
ZnS – 硫化鋅
晶格常數:0.541 納米
ZnSe – 硒化鋅
晶格常數:0.567 納米
ZnTe – 碲化鋅
晶格常數:0.610 納米
CdS – 硫化鎘
晶格常數:a=0.414 納米,c=0.672 納米
CdSe – 硒化鎘
晶格常數:a=0.430 納米,c=0.701 納米
CdTe – 碲化鎘
晶格常數:a=0.648 納米