半導(dǎo)體材料硅/鍺晶片和襯底

標準：
直徑：2“-3”
厚度：300-500μm
取向：（100）（111）（110）砷化鎵

晶格常數(shù)：0.565納米
摻雜劑：Si、Te、Zn，未摻雜
GaP-磷化鎵
晶格常數(shù)：0.545納米
摻雜劑：Cr、S、Zn，未摻雜
GaSb-鎵銻化物
晶格常數(shù)：0.609納米
摻雜：Te、Si、Ge，未摻雜
-部分來自庫存
-根據(jù)要求提供其他格式
-也是單件

砷化銦
晶格常數(shù)：0.606納米
摻雜劑：S、Zn，未摻雜
磷化銦
晶格常數(shù)：0.587納米
摻雜劑：Fe、S、Cd，未摻雜
InSb-銻化銦
晶格常數(shù)：0.648納米
摻雜：Te、Ge，未摻雜