半導(dǎo)體材料硅/鍺晶片和襯底

-元素半導(dǎo)體
（Si、Ge）和半導(dǎo)體化合物
（例如GaAs、GaP、InP、InSb、CdTe、ZnSe……）

-標(biāo)準(zhǔn)晶圓和預(yù)處理-
直接從庫存中成型的基材，也可以是單件

-特殊形狀的晶體和
根據(jù)要求提供非標(biāo)準(zhǔn)屬性

半導(dǎo)體材料 硅標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品：

取向：（100）（111）

直徑：2英寸至6英寸

表面：拋光/刻蝕

也可提供即用于外延生長的襯底，例如10 x 10 毫米2

可按需提供表面涂層（氧化物、氮化物、金屬）

其他尺寸和規(guī)格也可提供

半導(dǎo)體材料 硅性質(zhì)：

結(jié)構(gòu)：立方晶體 晶格常數(shù)：0.543 納米 密度：2.329 克/立方厘米 熔點：1412°C 帶隙：1.14 電子伏特

生長方法：Czochralski法 懸浮區(qū)域法

摻雜劑：n-磷 n-砷 n-銻 p-硼

電阻率：1-10 歐姆厘米 大于10 千歐姆厘米

半導(dǎo)體材料鍺標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品：

取向：(100)(111)

直徑：2英寸至4英寸

表面：拋光/刻蝕

也可提供即用于外延生長的襯底，例如10 x 10 毫米2

也可以提供其他尺寸和規(guī)格