瑞士,Fiaxell,Crofer 22H M_Grid™,低接觸電阻,尖晶石涂層,氣體擴散器

瑞士,Fiaxell,Crofer 22H M_Grid™,低接觸電阻,尖晶石涂層,氣體擴散器

Crofer 22H M_Grid™

 

為了有效的電流收集

Crofer 22H M_Grid涂有5-15 m的CuMn2O4尖晶石用于改善互連空氣側的電流收集

低接觸電阻:

Crofer 22H M_Grid設計用于改善平面或管狀電池堆的陰極電流收集

尖晶石涂層:

MnCo的保護層2O4或CuMn2O4以減少鉻的蒸發并改善電接觸

氣體擴散器:

為了形成氣體擴散的3D結構,將壓延和標稱M_Grid夾層焊接在Crofer板上

Crofer 22H M_Grid規格:

 

Crofer 22H M_Grid,含5-15M CuMn2O4尖晶石涂層-材料:Crofer 22H

-網眼:1.4 X 0.9毫米(對角線)

-最大寬度/長度:130毫米/1200毫米

壓延后的厚度:0.2毫米

-標準涂層:5-15m cum N2 o 4尖晶石(根據要求提供其他材料)

-專有涂層,防止直接CH的任何氣體裂解4或共同喂養

 

Crofer 22H M_Grid接觸電阻:

已經測量了Crofer 22APU和Crofer 22H M_Grid的歐姆電阻與時間的函數關系。測量是在LSM小球兩側用兩個相同的M柵進行的。小于10兆歐*厘米的電阻2針對Crofer 22H M_Grid在820°c下測量。

Crofer 22H APU Mgrid graph mesh sofc current collection low contact resistance spinel coating Cumn2o4 co2mno4

Crofer 22APU和Crofer 22H M_Grid的歐姆電阻,CuMn為5-15 m2O4尖晶石涂層

 

用于管狀系統的M_Grid:

由Crofer 22H和鎳等其他非貴金屬材料制成的M_Grid可有利地用于管狀系統。如下所示,內部或外部電流收集是通過在管內或管外旋轉M_Grid實現的。M_Grid也可以直接接收圓形管狀細胞。

Crofer M Grid 2 tubular 22H APU Mgrid mesh sofc current collection stack low contact resistance spinel coating Cumn2o4
外部電流收集:Crofer 22H M_Grid卷在管子上。
crofer 22h M Grid mesh interconnect sofc PEM contact resistance spinel coating Mn2CuO4 stack improvement
內部電流收集:鎳M型柵極在管內呈螺旋狀
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