美國HARRICK SCIENTIFIC VariGATR™ 浮角ATR附件
型號：GAT-V-XXX
VariGATR™ 浮角ATR附件是一種革命性的分析方法，專為半導體和金屬基底上的單分子層分析而設計。VariGATR™ 具有可變角度功能，因此可以優化入射角以實現對這些類型樣品的最高靈敏度。其特別設計的壓力施加器能夠有效地確保樣品與Ge ATR晶體之間的良好接觸。VariGATR™ 非常適合快速、可重復的測量，并且相對于浮角法提供了至少一個數量級的靈敏度提升。此外，它還提供了一個易于使用、完全預對準的水平采樣附件，極大地方便了操作。
特點
- 方便的水平采樣表面。
- 內建壓力施加器，帶滑離離合器，確保可重復的壓力施加。
- 60o至65o范圍內可連續調節角度，允許優化最大靈敏度。
- 防回彈機制，確保準確且可重復的角度選擇。
- 安裝了Ge ATR晶體。
- 可容納直徑最大8英寸的樣品，中心采樣最大6英寸的圓盤樣品。
- PermaPurge™ 快速凈化系統。
- 可選配件包括：
- 用于增強光譜對比度和方向性研究的線網偏振片，附帶滑板安裝座。
- 數字讀數的力傳感器，精確測量施加的力以確保ATR晶體與樣品的接觸。
- 可選低扭矩滑離離合器。
- 大樣品的角度刻度查看輔助工具。
包括
- Ge 半球形ATR晶體。
- 內建壓力施加器，設計用于適應大樣品。
- 配套安裝硬件，適用于指定的光譜儀。
