VariGATR 掠角ATR是一種分析半導體和金屬襯底上單層膜的解析方法. VariGATR是可變角度，因此可以對入射角進行優化，以獲得這些類型樣品的最高靈敏度。其特殊設計的加壓器經過優化，使樣品與Ge-ATR晶體有良好的接觸。VariGATR除了易于使用、完全預對準的水平取樣附件外，相對于掠角法，靈敏度至少增加一個數量級。
?VariGATR掠角附件主要應用：
半導體和金屬表面單分子層和吸附物種的分析
快速重復的測量
?VariGATR掠角附件主要特征：
便利的水平取樣面
帶滑動離合器的內置加壓器，可重復施加壓力
從60o到65o的連續可變角度允許優化最大靈敏度
防齒隙機構允許精確、可重復的角度選擇。
安裝Ge ATR晶體
可容納直徑達8“的樣品，直徑達6”的圓盤中心取樣
PermaPurge用于快速清洗系統
可選件包括：
用于增強光譜對比度和取向研究的線柵偏振器。包括滑板支座
帶有數字讀數的力傳感器，用于精確測量ATR晶體和樣品之間的接觸力。
提供低扭矩滑動離合器
用于大樣本的角度刻度儀
包含：
鍺半球形ATR晶體
內置壓力噴頭，設計用于容納大樣本
指定光譜儀的安裝硬件。
