連續碳化硅纖維就是前沿引領技術的典型代表。而第二代連續碳化硅纖維，優勢在于耐高溫、抗氧化、高強度和低密度，可在1200℃以上高溫氧化性氣氛中使用，相比用于發動機材料的高溫合金，其工作溫度提高200℃以上，結構減重30%以上。由于該材料在航空、航天、核工業、和武器裝備上的應用背景，日本、美國等發達國家從技術、設備到產品對我國進行嚴格封鎖，我國只能走自主創新之路，進行國產第二代連續碳化硅纖維的工業化開發。
根據國家制造強國建設戰略咨詢委員會數據顯示，2025年，國內干線客機對大型渦扇發動機的市場累計需求總量超6000臺。每臺渦扇發動機需要200公斤的第二代連續碳化硅纖維，光這一種發動機，對該材料的累計需求量就達到1200噸。
碳化硅（SiC）陶瓷，具有抗氧化性強，耐磨性能好，硬度高，熱穩定性好，高溫強度大，熱膨脹系數小，熱導率大以及抗熱震和耐化學腐蝕等優良特性。因此，已經在石油、化工、機械、航天、核能等領域大顯身手，日益受到人們的重視。例如，SiC陶瓷可用作各類軸承、滾珠、噴嘴、密封件、切削工具、燃汽渦輪機葉片、渦輪增壓器轉子、反射屏和火箭燃燒室內襯等等。
碳化硅是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料在電阻爐內經高溫冶煉而成。碳化硅陶瓷的燒結方法有：無壓燒結、熱壓燒結、熱等靜壓燒結、反應燒結。采用采用不同的燒結方法，SiC陶瓷具有各異的性能特點。如就燒結密度和抗彎強度來說，熱壓燒結和熱等靜壓燒結SiC陶瓷相對較多，反應燒結SiC相對較低。另一方面，SiC陶瓷的力學性能還隨燒結添加劑的不同而不同。無壓燒結、熱壓燒結和反應燒結SiC陶瓷對強酸、強堿具有良好的抵抗力，但反應燒結SiC陶瓷對HF等超強酸的抗蝕性較差。就耐高溫性能比較來看，當溫度低于900℃時，幾乎所有SiC陶瓷強度均有所提高；當溫度超過1400℃時，反應燒結SiC陶瓷抗彎強度急劇下降。對于無壓燒結和熱等靜壓燒結的SiC陶瓷，其耐高溫性能主要受添加劑種類的影響。總之，SiC陶瓷的性能因燒結方法不同而不同。一般說來，無壓燒結SiC陶瓷的綜合性能優于反應燒結的SiC陶瓷，但次于熱壓燒結和熱等靜壓燒結的SiC陶瓷。
用途
碳化硅纖維是一種廣泛應用于航空航天、核工業和軍事裝備等尖端領域的新材料
碳化硅晶片屬于寬帶隙半導體材料，是第三代半導體材料，是未來可以替代硅作芯片的材料，將會引起電子行業革命性的變革。目前的主要用途是LED固體照明和應用于高頻大功率的無線通訊。手機和筆記本電腦的背景光市場將給碳化硅巨大的需求增長。
碳化硅晶片具有高熱導率、高電子飽和漂移速度和大臨界擊穿電壓等特點，成為研制高頻大功率、耐高溫、抗輻照半導體微電子器件和電路的理想材料，在通信、汽車、航空、航天、石油開采以及國防等方面有著廣泛的應用前景。隨著第三代高溫寬帶隙半導體材料的發展，未來碳化硅將革命性的取代硅的半導體芯片原料地位，從而提供給人類抗高溫、體積小、壽命長、抗輻射的芯片。
