產品描述

VPE 由反應室和蓋子組成。加熱元件集成在蓋子中。它控制要蝕刻的基材的溫度。晶圓夾緊可以通過兩種方式實現：晶圓可以使用夾緊環機械地夾緊。擰緊從設備背面進行，該裝置從不與 HF 蒸汽接觸。3 個螺母易于使用保護手套操作。另一種選擇是靜電夾緊。單個芯片（大于 10 mm）以及晶圓可夾緊到加熱元件上。晶圓背面可防止蝕刻。

液體高頻被填充到反應室中。反應室用蓋子關閉。HF 蒸汽在室溫下形成，蝕刻過程自發啟動。蝕刻速率由可從 35°C 調節到 60°C 的晶圓溫度控制。加工后，酸可以儲存在儲液罐中，在可密封容器中再用。液體傳輸只需通過降低帶手柄的通信儲液罐即可完成。由于重力，酸流入儲液罐，并可以通過兩個閥門關閉。通過打開閥門并提起手柄，對反應室進行重新加注。酸流入反應室。酸可以重新用于多個蝕刻，直到它必須被更換。
VPE 系統的占地面積小，可輕松集成到現有流量箱中。

Application 總結

– 粘附自由
MEMS 釋放
– 結構變薄 – SOI 基
材上結構的自由釋放 – 蝕刻速率可調自 0 至約
30 μm/h – 單側 SiO2 蝕刻（在過程中保護背面）

組合驅動器結構的釋放
將梳子驅動器的自由釋放與相鄰梳子手指之間的 1 μm 間隙（圖片來源：Idonus Sarl）

反應室溫度控制

二氧化硅的蝕刻速率隨反應室中液體高頻的溫度而略有變化。HF 的溫度取決于潔凈室的環境溫度。此外，HF 在長時間的蝕刻過程中加熱，導致從晶圓到晶圓的蝕刻速率增加，直到系統穩定下來。為了穩定蝕刻速率，我們開發了一個反應室，容器中裝有溫度控制高頻。HF 的溫度可以通過附加控制器進行調整。Peltier 元件根據所需的工藝參數加熱或冷卻酸。