產(chǎn)品描述

VPE 由反應(yīng)室和蓋子組成。加熱元件集成在蓋子中。它控制要蝕刻的基材的溫度。晶圓夾緊可以通過兩種方式實(shí)現(xiàn)：晶圓可以使用夾緊環(huán)機(jī)械地夾緊。擰緊從設(shè)備背面進(jìn)行，該裝置從不與 HF 蒸汽接觸。3 個螺母易于使用保護(hù)手套操作。另一種選擇是靜電夾緊。單個芯片（大于 10 mm）以及晶圓可夾緊到加熱元件上。晶圓背面可防止蝕刻。

液體高頻被填充到反應(yīng)室中。反應(yīng)室用蓋子關(guān)閉。HF 蒸汽在室溫下形成，蝕刻過程自發(fā)啟動。蝕刻速率由可從 35°C 調(diào)節(jié)到 60°C 的晶圓溫度控制。加工后，酸可以儲存在儲液罐中，在可密封容器中再用。液體傳輸只需通過降低帶手柄的通信儲液罐即可完成。由于重力，酸流入儲液罐，并可以通過兩個閥門關(guān)閉。通過打開閥門并提起手柄，對反應(yīng)室進(jìn)行重新加注。酸流入反應(yīng)室。酸可以重新用于多個蝕刻，直到它必須被更換。
VPE 系統(tǒng)的占地面積小，可輕松集成到現(xiàn)有流量箱中。

Application 總結(jié)

– 粘附自由
MEMS 釋放
– 結(jié)構(gòu)變薄 – SOI 基
材上結(jié)構(gòu)的自由釋放 – 蝕刻速率可調(diào)自 0 至約
30 μm/h – 單側(cè) SiO2 蝕刻（在過程中保護(hù)背面）

組合驅(qū)動器結(jié)構(gòu)的釋放
將梳子驅(qū)動器的自由釋放與相鄰梳子手指之間的 1 μm 間隙（圖片來源：Idonus Sarl）

反應(yīng)室溫度控制

二氧化硅的蝕刻速率隨反應(yīng)室中液體高頻的溫度而略有變化。HF 的溫度取決于潔凈室的環(huán)境溫度。此外，HF 在長時間的蝕刻過程中加熱，導(dǎo)致從晶圓到晶圓的蝕刻速率增加，直到系統(tǒng)穩(wěn)定下來。為了穩(wěn)定蝕刻速率，我們開發(fā)了一個反應(yīng)室，容器中裝有溫度控制高頻。HF 的溫度可以通過附加控制器進(jìn)行調(diào)整。Peltier 元件根據(jù)所需的工藝參數(shù)加熱或冷卻酸。