濕法處理晶片卡盤，用于濕法蝕刻或電沉積過程中的背面保護:我們制造的卡盤適用于3英寸至200毫米的晶片直徑和所需的厚度。可根據要求定制卡盤。可以制造用于氫氧化鉀和氫氟酸蝕刻以及浸入其他化學物質的卡盤。帶有集成環形電極的卡盤在電鍍沉積過程中使晶片上的電流密度分布均勻。可根據您的需求設計用于多種濕法處理晶圓卡盤的晶圓卡盤托架。大多數載體的設計完全符合我們客戶的蝕刻設備。