濕法處理晶片卡盤，用于濕法蝕刻或電沉積過程中的背面保護(hù):我們制造的卡盤適用于3英寸至200毫米的晶片直徑和所需的厚度。可根據(jù)要求定制卡盤。可以制造用于氫氧化鉀和氫氟酸蝕刻以及浸入其他化學(xué)物質(zhì)的卡盤。帶有集成環(huán)形電極的卡盤在電鍍沉積過程中使晶片上的電流密度分布均勻。可根據(jù)您的需求設(shè)計(jì)用于多種濕法處理晶圓卡盤的晶圓卡盤托架。大多數(shù)載體的設(shè)計(jì)完全符合我們客戶的蝕刻設(shè)備。