idonus提出了一種創新的紫外線照明系統，該系統基于大功率LED和高級均質光學器件的使用。該產品可用于光致抗蝕劑曝光，適用于MEMS，微流體，光子學，半導體和光伏應用中的各種基材和光致抗蝕劑。我們完整的紫外線照明產品線可滿足對最大300毫米寬（11.8英寸）的掩模和晶圓的光刻需求。可以設計定制的解決方案以滿足您的特定要求（例如，對掩模對準器進行改造，為您的未來產品提供OEM）。
LED的優勢
直到最近，水銀弧光燈才是唯一能夠提供適用于UV光刻曝光的高強度光的光源。由于LED技術的進步，UV-LED已成為危險且耗能的汞燈的極具吸引力的替代品。
除了生態和安全方面，與傳統的汞燈相比，UV-LED的技術優勢是眾多的，并且對光刻具有重要意義。UV-LED的最主要優點是，它們能以一致的發射率運行，使用壽命非常長。結果，不需要日常校準和維護。此外，通過提高能源效率，LED減少了發熱量，從而大大簡化了系統冷卻。
UV-LED技術的優勢
LED 使用壽命長，這意味著不再需要消耗品
無需每日校準，即時穩定的照明
即時開啟，僅在曝光期間開啟燈光，無需機械快門
低功耗
光譜窄：不會對基材造成不必要的加熱，并且可重復性更高
沒有維護費用
紫外線LED曝光系統
idonus已經推出了完整的UV-LED曝光產品線。我們的系統將市場上最有效的UV-LED與高級微透鏡陣列集成在一起。它們完全組裝并在內部進行控制。我們的設計采用全遠心光學元件，可在整個曝光區域提供可重復且均勻的照明條件，即高度均勻且穩定的強度，并且發散角很小。這種尖端的光學器件可確保整個基板完全均勻地曝光，從而生產出具有筆直側壁的固化光致抗蝕劑，并可以對具有微米級臨界尺寸的圖案進行精確的微結構化。
性能表現
我們的UV-LED曝光系統有幾種標準配置，可以根據多種變化（例如，單個或混合波長）進行定制。作為特殊機器的制造商，idonus還可以根據客戶的要求開發完全定制的設備（例如，不同的曝光區域，改裝的設備外殼）。表“標準UV-LED曝光系統”中列出了我們產品的主要特性。在校準過程中進行的典型測量如圖B所示。在可用的曝光區域中，輻照度不均勻度±（max-min）/（max + min）低于±3％。圖A所示的最大準直角α是我們系統表征的另一個重要參數。圖C中顯示的數據是從對我們的一種模型進行的測量中提取的典型結果。為了評估α，測得的輻照度是準直角的函數：α對應于FWHM（半高全寬）。該閾值通常用于考慮有效地促進光刻膠照射的光能。
