VPE系統由一個反應室和一個蓋子組成。加熱元件集成在蓋子中，用于控制待蝕刻襯底的溫度。晶圓夾持可以通過兩種方式實現：一種是使用夾持環機械夾持晶圓。螺絲從設備的背面進行固定，永遠不與氫氟酸（HF）蒸氣接觸。這三個螺母帶有保護手套易于操作。另一種選擇是靜電夾持。單個芯片（長度超過10毫米）以及晶圓可以夾持到加熱元件上，保護晶圓背面免受蝕刻影響。

液態氫氟酸（HF）被注入反應室中。反應室用蓋子密封。在室溫下，液態HF蒸發產生HF蒸氣，蝕刻過程隨即開始。蝕刻速率由可以調節的晶圓溫度控制，溫度范圍從35°C到60°C。