Idonus濕法晶片卡盤WPWC、均勻電沉積晶片卡盤WEDC

濕蝕刻或電沉積過程中用于背面保護的濕處理晶片卡盤：我們為直徑在2英寸至200毫米之間、厚度在所需范圍內的晶片制造卡盤?？梢愿鶕笾圃於ㄖ瓶ūP?？梢灾圃煊糜贙OH和HF蝕刻以及浸入其他化學物質的卡盤。帶有集成環形電極的卡盤可以在電鍍過程中均勻化晶片上的電流密度分布。可以根據您的需求設計用于多個濕處理晶片夾具的晶片卡盤載體。大多數載體的設計都是為了完全適合我們客戶的蝕刻設備。

下面，我們列出了濕法蝕刻微細加工工藝中使用的一些標準化學品，這些化學品與WPWC兼容：
HF（氫氟酸）
KOH（氫氧化鉀）
TMAH（四甲基氫氧化銨）