Infrared 銻化銦探測(cè)器通過(guò)使用單晶材料臺(tái)面技術(shù)形成p-n結(jié)。這個(gè)過(guò)程產(chǎn)生最高質(zhì)量的光電二極管而顯示出在1μm至5.5μm波長(zhǎng)范圍內(nèi)優(yōu)良的電光性能。這些二極管是背景限制（BLIP）的探測(cè)器，其性能可以通過(guò)空間來(lái)增強(qiáng)（冷卻FOV stops）或頻譜（冷卻干擾濾波器）背景的減少。

光伏效應(yīng)是當(dāng)適當(dāng)波長(zhǎng)的輻射入射到p-n結(jié)上時(shí)，p-n結(jié)上產(chǎn)生的電勢(shì)。當(dāng)光子通量照射結(jié)時(shí)，如果光子能量超過(guò)禁帶能量，就會(huì)形成電子-空穴對(duì)。

電場(chǎng)將電子從p區(qū)掃向n區(qū)，空穴從n區(qū)掃向p區(qū)。該過(guò)程使p區(qū)為正，n區(qū)為負(fù)，并在外部電路中產(chǎn)生電流。InSb探測(cè)器的等效電路如下所示。這包括一個(gè)信號(hào)和噪聲電流發(fā)生器，與一個(gè)電阻和電容項(xiàng)并聯(lián)。

當(dāng)背景輻射通過(guò)在有源元件中產(chǎn)生恒定輸出而改變工作曲線(xiàn)時(shí)，探測(cè)器應(yīng)反向偏置，使其回到最佳工作點(diǎn)：零電壓。

這可以通過(guò)使用匹配的前置放大器（如我們的IAP-1000IS）來(lái)實(shí)現(xiàn)。探測(cè)器前置放大器系統(tǒng)在探測(cè)器噪聲限制模式下工作。需要雙輸出電源。

• 熱成像
• 熱追蹤制導(dǎo)
• 輻射計(jì)
• 光譜儀
• FTIR

Infrared?銻化銦探測(cè)器主要型號(hào)：