Infrared 銻化銦探測器通過使用單晶材料臺面技術(shù)形成p-n結(jié)。這個過程產(chǎn)生最高質(zhì)量的光電二極管而顯示出在1μm至5.5μm波長范圍內(nèi)優(yōu)良的電光性能。這些二極管是背景限制（BLIP）的探測器，其性能可以通過空間來增強（冷卻FOV stops）或頻譜（冷卻干擾濾波器）背景的減少。
光伏效應(yīng)是當適當波長的輻射入射到p-n結(jié)上時，p-n結(jié)上產(chǎn)生的電勢。當光子通量照射結(jié)時，如果光子能量超過禁帶能量，就會形成電子-空穴對。
電場將電子從p區(qū)掃向n區(qū)，空穴從n區(qū)掃向p區(qū)。該過程使p區(qū)為正，n區(qū)為負，并在外部電路中產(chǎn)生電流。碲化銦探測器的等效電路如下所示。這包括一個信號和噪聲電流發(fā)生器，與一個電阻和電容項并聯(lián)。
當背景輻射通過在有源元件中產(chǎn)生恒定輸出而改變工作曲線時，碲化銦探測器應(yīng)反向偏置，使其回到最佳工作點：零電壓。
這可以通過使用匹配的前置放大器（如我們的IAP-1000IS）來實現(xiàn)。探測器前置放大器系統(tǒng)在碲化銦探測器噪聲限制模式下工作。需要雙輸出電源。
銻化銦探測器為光伏型，光譜范圍 1um-5.5um，標準產(chǎn)品均采用液氮杜瓦制冷，主要應(yīng)用為：
- 熱成像
- 熱追蹤制導
- 輻射計
- 光譜儀
- FTIR
