InfraRed Associates 光伏銻化銦探測器，通過使用單晶材料臺面技術形成p-n結。這個過程產生最高質量的光電二極管而顯示出在1μm至5.5μm波長范圍內優良的電光性能。這些二極管是背景限制（BLIP）的探測器，其性能可以通過空間來增強（冷卻FOV stops）或頻譜（冷卻干擾濾波器）背景的減少。
典型應用：
光電效應是當適當的波長輻射在其上入射時，通過p-n結的電位時產生的。當光子通量照射交界處，如果光子的能量超過禁帶寬度能量，電子 – 空穴對就形成。
領域掃過從p區到n區的電子，并從n區到p區的孔。這個過程使得p區正和n區負，并且在外部電路將產生的電流的流動。 InSb檢測器的等效電路如下所示。這既包括信號和噪聲電流發生器與電阻和長期并行的電容。
當背景輻射通過所產生的有源元件恒定的輸出， 轉移運行曲線時，探測器應反向偏置，使其恢復到最佳工作點：零電壓。
這可通過使用一個匹配的前置放大器來實現，如我們的IAP-1000IS。檢測器前置放大器系統操作在檢測器噪聲限制模式。雙輸出電源是必需的。
| Standard Photovoltaic Indium Antimonide Detectors |
| Model Number |
FOV=60O,?(λpk,1000,1) |
Std.?Pkg. |
Std. Window |
| Active Area Element?(mm) |
D*(cmHz1/2W-1) |
Responsivity(λp) |
Resistance?(Rd)(Ω) |
Capacitance?(Cd)(pF) |
Short Circuit Current Isc?(μA) |
Open Circuit Voltage Vcc?(mV) |
Operating Temp.(K) |
| IS-0.25 |
q.25/.25x.25 |
>?1.0E11 |
>?3 A/W |
1000K |
70 |
0.9 |
80
to
125 |
77 |
MSL-8
MSL-12
or
MDL-8
MDL-12 |
Sapphire |
| IS-0.5 |
q.5/.5x.5 |
500K |
100 |
2 |
| IS-1.0 |
q1/1×1 |
350K |
350 |
8 |
| IS-2.0 |
q2/2×2 |
100K |
1500 |
30 |
| MSL-8 Side Looking Metal Dewar—8 Hour Hold Time ? ? ? ? ? MSL-12 Side Looking Metal Dewar—12 Hour Hold Time |
| MDL-8 Down Looking Metal Dewar—8 Hour Hold Time ? ? ? ?MDL-12 Down Looking Metal Dewar—12 Hour Hold Time |
|
