Infrared 銻化銦探測器通過使用單晶材料臺面技術形成p-n結。這個過程產生最高質量的光電二極管而顯示出在1μm至5.5μm波長范圍內優良的電光性能。這些二極管是背景限制（BLIP）的探測器，其性能可以通過空間來增強（冷卻FOV stops）或頻譜（冷卻干擾濾波器）背景的減少。
光伏效應是當適當波長的輻射入射到p-n結上時，p-n結上產生的電勢。當光子通量照射結時，如果光子能量超過禁帶能量，就會形成電子-空穴對。
電場將電子從p區掃向n區，空穴從n區掃向p區。該過程使p區為正，n區為負，并在外部電路中產生電流。InSb探測器的等效電路如下所示。這包括一個信號和噪聲電流發生器，與一個電阻和電容項并聯。
當背景輻射通過在有源元件中產生恒定輸出而改變工作曲線時，探測器應反向偏置，使其回到最佳工作點：零電壓。
這可以通過使用匹配的前置放大器（如我們的IAP-1000IS）來實現。探測器前置放大器系統在探測器噪聲限制模式下工作。需要雙輸出電源。
銻化銦探測器為光伏型，光譜范圍 1um-5.5um，標準產品均采用液氮杜瓦制冷，主要應用為：
- 熱成像
- 熱追蹤制導
- 輻射計
- 光譜儀
- FTIR
