美國Infrared MCT-1000前置放大器 Preamplifier
美國Infrared MCT-1000前置放大器是專門設計用于與光導碲化汞探測器配合使用的。低噪聲和高增益方面與精確的恒定電壓偏置相耦合，為這些探測器提供了理想的補充。
美國Infrared MCT-1000前置放大器 為MCT檢測器提供最佳操作所需的所有接口電路。不需要外部偏置或負載電阻器。對于輸入，典型的噪聲值小于1.5 nv/Hz-1。
可提供用于高速、高增益和PV（光伏）HgCdTe探測器操作的特殊配置。
MCT探測器通過通常隨探測器提供的SMA–BNC電纜連接到輸入BNC連接器。需要具有至少200毫安輸出（-15伏為100毫安）的正極和負極15伏直流電源。探測器偏置是內部提供的，并且偏置電壓（或電流）可從典型的0V調節到+2.5伏。電氣帶寬內部設置為1.5Hz至200Khz；其他帶寬（高達5Mhz）也是可用的。
可調增益提供典型地從50到1000倍的可變信號幅度。偏置電壓和增益受檢測器阻抗的影響，由于所有檢測器的電阻略有不同，最大偏置電壓和最大增益將略有變化。
Infrared?探測器前置放大器主要型號：
| Model | Type | 帶寬 | 增益 |
| MCT-1000 | PC HgCdTe | 1.5Hz – 150kHz | 50-1000 |
| MCT-1000DC | PC HgCdTe | DC – 150kHz | 50-1000 |
| MCT-1000H | PC HgCdTe | 1.5Hz – 150kHz | 200-4000 |
| MCT-1000HS | PC HgCdTe | 500Hz – 1.0MHz | 50-1000 |
| PVMCT-1000 | PV HgCdTe | 1.5Hz – 150kHz | 5-100 |
| MCT Array | PC or PV HgCdTe | Any DC-1.0Mhz | 5-1000 |
| INSB-1000 | PV InSb | 1.5Hz – 200kHz | 5-100 |
| INSB-1000DC | PV InSb | DC – 200kHz | 5-100 |
| INSB-1000HS | PV InSb 2mm | 500Hz – 1.0MHz | 0.5-10 |
| INSB-1000HS | PV InSb 1mm | 500Hz – 1.0MHz | 2.5-30 |
| PYRO-1000 | DTGS and LiTaO3 | 1.5Hz – 10kHz | 50-1000 |
| PB-1000 | PbS/PbSe | 1.5Hz – 50kHz | 2-200 |
| INGAAS-1000 | InGaAs | 1.5Hz – 50kHz | 5-100 |
| VA-1000 | Any | 10Hz – 500Hz | 100-3000 |
