光伏銻化銦檢測器由提供InfraRed Associates。是使用單晶材料通過臺面技術形成的pn結。這種工藝生產出最高質量的光電二極管，在1μm至5.5μm波長范圍內具有出色的光電性能。這些二極管是背景受限(尖峰)探測器，它們的性能可以通過背景的空間(冷卻FOV光闌)或光譜(冷卻干涉濾光器)減少來增強。
| 典型應用: |
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| 光伏效應是當適當波長的輻射入射到pn結上時，在pn結上產生電勢。當光子通量照射結時，如果光子能量超過禁帶能量，則形成電子-空穴對。
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| 電場將電子從p區掃向n區，將空穴從n區掃向p區。這個過程使p區為正，n區為負，會在外電路中產生電流。InSb探測器的等效電路如下所示。它由一個信號和噪聲電流發生器與一個阻性和容性項并聯組成。 | |
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| 當背景輻射通過在有源元件中產生恒定輸出來改變操作曲線時，檢測器應該被反向偏置以使其回到最佳操作點:零電壓。 |
| del Number | FOV=60O,?(λpk,1000,1) | Std.?Pkg. | Std. Window | |||||||||||||||||||||||||||||
| Active Area Element?(mm) | D*(cmHz1/2W-1) | Responsivity(λp) | Resistance?(Rd)(Ω) | Capacitance?(Cd)(pF) | Short Circuit Current Isc?(μA) | Open Circuit Voltage Vcc?(mV) | Operating Temp.(K) | |||||||||||||||||||||||||
| >?1.0E11 | >?3 A/W | 80 to 125 | 77 | MSL-8 MSL-12 or MDL-8 MDL-12 | Sapphire | |||||||||||||||||||||||||||
| IS-1.0 | q1/1×1 | 300K | 350 | 8 | ||||||||||||||||||||||||||||
| IS-2.0 | q2/2×2 | 100K | 1500 | 30 | ||||||||||||||||||||||||||||
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