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InfraRed Associates, Inc. 提供的光伏型銻化銦（InSb）探測器是通過臺面技術在單晶材料上形成的p-n結。該工藝生產出最高質量的光電二極管，這些二極管在1μm至5.5μm波長范圍內表現出卓越的電光性能。這些二極管是背景限制（BLIP）探測器，其性能可以通過空間（冷卻視場光闌）或光譜（冷卻干涉濾光片）減少背景輻射來增強。

典型應用：

• 醫學熱成像
• 熱成像
• 光譜學
• 輻射測量
• 研究
• 紅外顯微鏡

光伏效應是指當適當波長的輻射照射到p-n結時，在結上產生電勢的現象。當光子流照射到結上時，如果光子能量超過禁帶能量，就會形成電子-空穴對。

電場將電子從p區掃到n區，空穴從n區掃到p區。這個過程使p區帶正電，n區帶負電，并在外部電路中產生電流。InSb探測器的等效電路如下所示，它包括一個信號電流發生器和一個噪聲電流發生器，并聯一個電阻和電容項。

當背景輻射通過在有源元件中產生恒定輸出而改變操作曲線時，探測器應反向偏置以將其帶回最佳操作點：零電壓。

這可以通過使用匹配的前置放大器（如我們的IAP-1000IS）來實現。探測器-前置放大器系統在探測器噪聲限制模式下運行。需要一個雙輸出電源。

標準光伏型銻化銦探測器

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