InfraRed Associates,光伏型銻化銦（InSb）探測(cè)器,IS-1.0,IS-2.0

InfraRed Associates,光伏型銻化銦（InSb）探測(cè)器,IS-1.0,IS-2.0,InfraRed Associates, Inc. 提供的光伏型銻化銦（InSb）探測(cè)器是通過臺(tái)面技術(shù)在單晶材料上形成的p-n結(jié)。

InfraRed Associates, Inc. 提供的光伏型銻化銦（InSb）探測(cè)器是通過臺(tái)面技術(shù)在單晶材料上形成的p-n結(jié)。該工藝生產(chǎn)出最高質(zhì)量的光電二極管，這些二極管在1μm至5.5μm波長(zhǎng)范圍內(nèi)表現(xiàn)出卓越的電光性能。這些二極管是背景限制（BLIP）探測(cè)器，其性能可以通過空間（冷卻視場(chǎng)光闌）或光譜（冷卻干涉濾光片）減少背景輻射來增強(qiáng)。

典型應(yīng)用：

  • 醫(yī)學(xué)熱成像
  • 熱成像
  • 光譜學(xué)
  • 輻射測(cè)量
  • 研究
  • 紅外顯微鏡

光伏效應(yīng)是指當(dāng)適當(dāng)波長(zhǎng)的輻射照射到p-n結(jié)時(shí)，在結(jié)上產(chǎn)生電勢(shì)的現(xiàn)象。當(dāng)光子流照射到結(jié)上時(shí)，如果光子能量超過禁帶能量，就會(huì)形成電子-空穴對(duì)。

電場(chǎng)將電子從p區(qū)掃到n區(qū)，空穴從n區(qū)掃到p區(qū)。這個(gè)過程使p區(qū)帶正電，n區(qū)帶負(fù)電，并在外部電路中產(chǎn)生電流。InSb探測(cè)器的等效電路如下所示，它包括一個(gè)信號(hào)電流發(fā)生器和一個(gè)噪聲電流發(fā)生器，并聯(lián)一個(gè)電阻和電容項(xiàng)。

當(dāng)背景輻射通過在有源元件中產(chǎn)生恒定輸出而改變操作曲線時(shí)，探測(cè)器應(yīng)反向偏置以將其帶回最佳操作點(diǎn)：零電壓。

這可以通過使用匹配的前置放大器（如我們的IAP-1000IS）來實(shí)現(xiàn)。探測(cè)器-前置放大器系統(tǒng)在探測(cè)器噪聲限制模式下運(yùn)行。需要一個(gè)雙輸出電源。

標(biāo)準(zhǔn)光伏型銻化銦探測(cè)器

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