Korth Kristalle光學(xué)材料硅Si、Korth Kristalle光學(xué)透射材料

Korth Kristalle光學(xué)材料硅SiKorth Kristalle光學(xué)透射材料

透射范圍 %
50

透射范圍
1.2 – 15 μm(厚度2 mm)

折射率
3.35268 @ 2 μm

反射損失
30.11% @3 μm

密度
2.3291 g/cm3

熔點(diǎn)
1412°C

分子量
28.09

熱導(dǎo)率
163 W/(m·K) @313K

比熱容
731.9 J/(kg·K)

熱膨脹系數(shù)
2.62 · 10?? /°C @300 K

硬度(莫氏)
1150

楊氏模量
131 GPa

剪切模量
79.9 GPa

體積模量
102 GPa

斷裂模量
130 MPa

彈性系數(shù)
C11 = 167; C12 = 65; C44 = 80 GPa

介電常數(shù)
13 @ f = 9.37 GHz

水中溶解度
不溶

晶體結(jié)構(gòu)
單晶,合成

晶體類型
立方,金剛石結(jié)構(gòu),a? = 5.43086 ?

解理面
(111)

泊松比
0.221

應(yīng)用
帶通濾波器,熱成像,ATR晶體,遠(yuǎn)紅外光學(xué),反射鏡,晶圓

顯著特點(diǎn)
廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域(光學(xué)和電子行業(yè))
3-5 μm的紅外窗口,遠(yuǎn)紅外/太赫茲窗口,分束器,濾光片基板
不同取向的晶圓/基板用于半導(dǎo)體電子學(xué)
最大可用直徑取決于質(zhì)量(Cz-> 18英寸,F(xiàn)z-> 200毫米)
提供不同質(zhì)量等級(jí)(FZ = 浮區(qū)法,Cz = 切克勞斯基法)

Silicon - KORTH KRISTALLE

Silicon - KORTH KRISTALLE


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