Leysop雙晶體KD*P普克爾斯盒 KDP Pockels電池 磷酸二氘鉀普克爾盒 KDP普克爾盒 普克爾電池

雙晶體KD*P普克爾斯盒

標準版與緊湊型設計 | 低電壓Q開關與脈沖拾取的理想選擇

技術說明

產品概述

雙晶體縱向模式普克爾斯盒是一種通過創新設計顯著降低驅動電壓的電光調制器件。與橫向模式器件不同,本產品采用縱向電場設計,通過雙晶體結構將工作電壓降低50%,同時保持優異的消光比性能。

核心技術特點

  1. 電壓減半設計
  • 采用雙KD*P晶體光學串聯、電學并聯結構
  • 1064nm波長下驅動電壓從單晶體的6kV降至3kV左右
  • 保持縱向模式器件固有的幾何不敏感性優勢
  1. 靈活配置選項
  • 提供1/2/4端子電氣接口配置
  • 可選晶體間折射率匹配液填充或干式結構
  • 支持抗反射鍍膜定制(需額外費用)
  • 可選用傾斜窗口或楔形晶體設計抑制干涉效應
  1. 多樣化產品系列
  • 標準孔徑:8/10/12mm(最大支持25mm)
  • 包含緊湊型系列和超快系列(UPC)雙晶體版本
  • 電容負載約為單晶體器件的兩倍

典型應用

  • 高消光比要求的Q開關系統
  • 低電壓驅動的脈沖選擇系統
  • 高功率激光調制應用
  • 對光學性能有嚴格要求的科研實驗

產品優勢

  • 電壓需求降低50%,顯著減少系統成本
  • 保持縱向模式器件的光學性能優勢
  • 一體化設計降低安裝調試復雜度
  • 靈活的配置選項滿足特殊需求

我們可提供從標準規格到完全定制的雙晶體普克爾斯盒解決方案。如需了解更多技術細節或特殊需求支持,歡迎隨時聯系我們的技術團隊。

雙晶體縱向模式KD*P普克爾斯盒技術規格示例

核心參數指標

參數名稱性能指標
通光孔徑8mm
工作波長范圍0.3-1.2μm
1.06μm半波電壓3.75kV
最大耐受電壓8kV
光學響應時間<0.25ns
1.06μm消光比>600:1
本征電容~20pF
Q開關損傷閾值600MW/cm2
插入損耗2-3%
電氣接口高壓BNC或M2.5接線柱


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