三電極KD*P普克爾斯盒
（專為再生放大器和雪崩驅動脈沖切片應用優化）
革命性電極設計
- 創新三電極架構
- 采用”環形-中心-環形”的獨特電極排布
- 中心電極接地，形成天然電磁屏蔽層
- 雙驅動端獨立控制，實現ns級精確時序調控
- 脈沖整形突破
- 上升/下降沿獨立優化（典型值<2ns）
- 脈沖寬度可編程調節（10ns-1μs連續可調）
- 支持雪崩驅動器直接耦合，避免交叉干擾
技術優勢解析
| 比較維度 | 三電極設計 | 傳統四端設計 |
|---|---|---|
| 時序控制精度 | ±0.5ns | ±3ns |
| 電磁兼容性 | 優良 | 需額外屏蔽 |
| 系統集成復雜度 | 降低40% | 高 |
| 驅動成本 | 節約35% | 高昂 |
典型應用方案
- 再生放大器時序控制
- 配合雪崩驅動器實現<3ns光學開關
- 典型參數：5mm通光孔徑/1064nm/4kV半波電壓
- 高精度脈沖切片
- 前沿/后沿獨立優化技術
- 預脈沖抑制比達10?:1（@1053nm）
選型注意事項
- 孔徑權衡
- 標準型號：5mm（平衡性能與尺寸）
- 擴展型號：8mm（需增加20%晶體長度）
- 驅動匹配建議
- <2ns應用：推薦雪崩晶體管驅動
5ns應用：MOSFET驅動器即可滿足
- 替代方案
- 超緊湊型號：EM510C（Φ25mm機身）
- 常規型號：標準KD*P普克爾斯盒（開放式實驗適用）
工程服務支持
我們提供：
- 定制化電極阻抗匹配方案
- 驅動器協同設計服務
- 真空/水冷特殊版本定制
注：三電極設計雖增加約15%器件成本，但可降低系統總成本30%以上，特別適合：
? 多級放大系統時序控制
? 超高信噪比脈沖整形
? 緊湊型激光系統集成
