RTP普克爾斯盒技術說明
（高重復頻率Q開關與脈沖拾取專用解決方案）
材料革命性突破
- 劃時代的電光性能
- 超大電光系數（Y軸方向傳播，Z軸電場施加）
- 寬光譜透過范圍（400nm-4μm）
- 超高損傷閾值：1GW/cm2 @1064nm/1ns
- 顛覆性的壓電特性
- 在200kHz范圍內完全無壓電諧振（實測數據）
- 突破傳統BBO晶體30kHz的頻率壁壘
- 相較聲光Q開關可獲得更短脈沖寬度
與BBO晶體的性能對比
| 關鍵指標 | RTP | BBO |
|---|---|---|
| 1064nm半波電壓 | 1.3kV（3mm孔徑） | 7kV（同孔徑） |
| 驅動功耗 | <BBO的1/10 | 極高 |
| 最高工作頻率 | >200kHz | ≤30kHz |
| 溫度敏感性 | 需雙晶補償 | 單晶即可工作 |
| 適用功率范圍 | 中低平均功率 | 超高平均功率 |
獨特雙晶補償技術
- 雙晶體正交配置
- 采用X/Y軸光學匹配的雙晶體結構
- 理論完全抵消靜態雙折射效應
- 功率限制機理
- 高功率下局部熱效應導致補償失衡
- 典型適用功率范圍：<50W平均功率（1064nm）
- 動態偏置解決方案
- 可選配主動溫控補償架（精度±0.1℃）
- 可擴展實時相位補償模塊
典型應用場景
✅?高重復頻率激光系統
- 取代聲光器件實現<10ns脈寬
- 醫療美容激光器（1MHz級調制）
✅?低功耗便攜設備
- 無人機激光雷達（功耗降低90%）
- 空間激光通信終端
✅?超快激光時序控制
- 再生放大器腔倒空（200kHz同步）
- 啁啾脈沖放大時序門控
工程實施建議
- 選型策略
- 高頻優先選RTP，高功率首選BBO
- 5mm以下孔徑推薦單晶方案
- 系統集成要點
- 必須配置偏振態監測反饋
- 建議采用恒溫安裝基座
- 未來發展方向
- 石墨烯電極集成（降低電容）
- 量子點鍍層（擴展紫外波段）
實驗數據表明：在100kHz/1064nm條件下，RTP的綜合能效比達到BBO的15倍
產品規格參數
參數 值 1064nm 透過率 >98.5% – 99.0% 可選孔徑 3mm、4mm、6mm、9mm 1064nm 半波電壓（X切割） 對應孔徑：1,300V、1,750V、2,600V、3,500V 消光比 >20dB（可達 ~30dB） 接收角 >1° 損傷閾值 >600MW/cm2（1064nm，脈沖寬度 t=10ns） 常用波長 650-1000nm（BBAR 增透）、1030/1064nm、1550nm、1950nm 物理尺寸 詳見側邊欄接口圖紙
