Leysop KD*P普克爾斯盒 Pockels電池 磷酸二氘鉀普克爾盒 KDP普克爾盒 普克爾電池

KD*P 普克爾斯盒
(帶MHV連接器,適用于Q開關及脈沖選擇)

EM500系列KD*P縱向普克爾斯盒采用堅固封裝設計,具有優異的連接靈活性。其貫穿連接型無需采用標準50歐姆傳輸線技術即可實現最快開關速度,通常用于放大器隔離的脈沖選擇與門控應用;單接口型更適用于Q開關應用;而采用浮動連接的雙接口型則特別適配差分放大器(如我們的M5000型號)。

本系列產品選用具有超低光學損耗和無應變特性的KD*P晶體,工作波長范圍覆蓋0.3-1.2μm,標配熔融石英窗口片并可按照客戶指定波長進行光學鍍膜。除提供單/雙/四端子配置選項外,還可根據應用需求選擇:

  • 折射率匹配液填充結構(經濟型Q開關方案首選)
  • 干燥式結構(可選晶體增透膜處理)

我們獨家開發的”HHT”特殊構型能將內表面反射抑制至可忽略水平(單面反射率約0.05%),其優勢包括:
? 透射率逼近理論極限(實測值無限接近100%,僅受限于窗口鍍膜性能)
? 靜態消光比突破10,000:1(通過消除多重內反射和散射實現)

該系列采用全金屬屏蔽殼體設計,僅保留必要的光學窗口,接地金屬外殼確保優異的電磁屏蔽性能。配備專用高壓BNC(MHV)接口,既保障電氣安全又有效抑制輻射干擾,使其特別適合光學平臺等開放環境使用。若應用環境本身具備屏蔽功能,可選用我們結構更緊湊的電光Q開關系列(在保持同等光學性能的前提下實現小型化設計)。

典型技術規格

型號EM508EM510EM512EM515EM520EM525
通光孔徑8mm10mm12mm15mm20mm25mm
波長范圍0.3-1.2μm0.3-1.2μm0.3-1.2μm0.3-1.2μm0.3-1.2μm0.3-1.2μm
半波電壓(DC)@1.06μm6.0kV6.0kV6.2kV6.3kV6.3kV6.3kV
典型上升時間*<0.5ns<0.5ns<0.5ns<0.6ns<0.7ns<0.8ns
最大工作電壓10kV10kV10kV10kV10kV10kV
消光比@1.06μm>1000:1>1000:1>1000:1>1000:1>1000:1>1000:1
晶體長度25mm25mm25mm30mm40mm45mm
未端接電容10pF10pF12pF15pF20pF20pF
損傷閾值(Q開關)600MW/cm2600MW/cm2600MW/cm2600MW/cm2600MW/cm2600MW/cm2
典型插入損耗2%2%2%2%2%2%
接口類型高壓BNC(MHV)高壓BNC(MHV)高壓BNC(MHV)高壓BNC(MHV)高壓BNC(MHV)高壓BNC(MHV)
表面處理黑色陽極氧化黑色陽極氧化黑色陽極氧化黑色陽極氧化黑色陽極氧化黑色陽極氧化
外形尺寸Φ50×56mmΦ50×56mmΦ50×56mmΦ55×66mmΦ55×76mmΦ55×81mm

*注:上升時間測試條件為50Ω終端匹配并配合專用驅動器使用

應用領域
縱向場KDP普克爾斯盒作為激光Q開關技術發展初期沿用至今的經典器件,具有顯著的技術優勢:其大通光孔徑設計與獨特的電場施加方式,使實現90°偏振切換所需的半波電壓基本不受孔徑影響。KDP晶體作為優質光學材料,不僅能加工成大尺寸器件,更以遠低于其他材料的成本實現高損傷閾值特性,同時保持合理的驅動電壓需求。

盡管KD*P具有潮解特性,但萊索普公司通過突破性工藝可實現λ/8平面度與10-5級激光表面質量。采用真空級O型圈密封技術,確保晶體長期隔絕大氣濕氣,維持數十年穩定運行。

典型應用包括:
??固體激光Q開關:尤適用于YAG/紅寶石激光器(已大量應用于醫療美容激光設備),其高損傷閾值支持生成毫焦級脈沖,平均輸出功率覆蓋數十瓦至約50W
??脈沖選擇系統:卓越的光學性能與大通光孔徑,使其成為飛秒鎖模激光-再生放大器系統中低重頻脈沖選擇的理想器件
??超快光閘系統:針對納秒級光門控需求,我們可提供上升時間亞納秒、孔徑達25mm的完整解決方案

技術亮點:

  • 配套專用驅動器可實現>10kHz高對比度脈沖選擇(即使大孔徑器件亦能穩定工作)
  • 支持定制化驅動系統集成

我們始終秉持”技術可行即能實現”的服務理念,歡迎隨時聯系技術團隊探討您的具體需求。


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