ADP

ADP 調制器可設計為在從紫外線到可見光直至約 900nm 的所有波長下工作，并且基本上沒有壓電共振。這種調制器類型具有高度的溫度穩(wěn)定性，但在需要長期直流振幅的情況下，它應該在恒溫環(huán)境中運行。調制頻率不受設備特性的限制，除了其電容之外，因此取決于所使用的驅動電路。所有組件均使用寬帶增透膜，或者我們可以提供流體填充版本，包括超高傳輸類型。

ADP 設計的一個特點是，由于光學傳播不沿對稱軸，異常偏振光會“走離”，因此有必要使用四個匹配的晶體，適當定向以補償兩者走離以及靜態(tài)雙折射。這確實對最大傳輸有輕微影響，因為與其他調制器類型相比，晶體表面的數(shù)量是其兩倍。

KD*P

橫向 KD*P 電光調制器能夠提供比 ADP 型更高的熱穩(wěn)定性，這主要是因為它們不需要相同的四晶體排列。傳輸范圍也擴展到 1200nm 左右，其消光比也優(yōu)于其 ADP 對應物。然而，它確實顯示出壓電特性，因此對于數(shù)百 kHz 至低 MHz 范圍內的高頻調制而言，這不是一個好的選擇，盡管使用共振阻尼技術可以改善此處的性能。這些設備也可以提供帶有合適 AR 涂層的干燥設備或填充液體的設備，包括超高傳輸版本。

LiNb0₃

鈮酸鋰是一種高溫生長的光學材料，與 ADP 和 KD*P 晶體不同，它不溶于水。雖然它不能在低于 500nm 的波長范圍內安全運行（以及高達 ~800nm 的波長，但要謹慎使用低光功率），但高于此范圍時，它在 ~4μm 范圍內具有良好的透明度。為了獲得最佳的熱穩(wěn)定性，最好使用 Z 形切割晶體，這是我們的標準設計，并且沒有靜態(tài)雙折射需要補償。然而，雙折射補償 X 切設計可獲得更高的靈敏度。這種切割也用于不需要這種補償?shù)南辔徽{制器。

不幸的是，鈮酸鋰具有很強的壓電特性，這會限制其在某些需要良好時間性能的應用中的使用。電池是干燥的，在晶體和窗口上有合適的 AR 涂層（雖然技術上并不總是需要用于密封電池以防止灰塵等）

英國LEYSOP Ltd EM200 ADP KD*P LiNb03低電壓電光調制器產品規(guī)格