LEYSOP pockels

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英國Leysop ltd 8mm雙晶 KD*P 普克爾盒

非常適合在較低電壓下進行 Q 開關和脈沖拾取。

?雙晶普克爾盒

降低驅動電壓的雙晶普克爾斯盒 與其中半波電壓取決于長寬比(電極之間)的橫向模式普克爾斯盒不同,縱向場普克爾斯盒的半波電壓對于給定波長是固定的并且僅隨電池幾何形狀微弱地變化。這導致大多數應用的工作電壓非常高(例如,對于 1064nm,> 6kV)。一種解決方案顯然是使用橫向模式設備,并且對于某些應用來說這是合適的。然而,在許多情況下,只有縱向場設備才能提供正確的光學性能(尤其是在需要更高消光比的情況下)。解決方案是將兩個 Pockels 盒組合在一起,當由一個公共電壓源驅動時,每個單元提供總旋轉的一半。這種方法的邏輯結論是將兩種晶體組合在一個封裝中。這減少了損耗、總體尺寸、組件數量和對齊以及設置時間(這將成為制造商的工作!)。結果是復合器件以大約兩倍的負載電容為代價將所需的驅動電壓減半。

與我們所有其他縱向普克爾斯盒一樣,這些盒可以提供一個、兩個或四個端子配置(如上圖所示),并且可以提供填充晶體和窗口之間空間的折射率匹配流體(首選)或干燥,晶體上有或沒有抗反射涂層。如果需要控制由多次反射引起的干涉效應,可以指定傾斜的窗口和/或楔形晶體(后者可能需要少量費用)。

Leysop可以生產任何孔徑尺寸的兩個普克爾斯晶胞,孔徑最大可達 25 毫米,但最常見的孔徑是 8 毫米、10 毫米和 12 毫米。我們還生產compact普克爾斯盒系列中的兩種晶體器件以及單晶和雙晶版本的超快普克爾斯盒 (UPC)。如果您有此處所見未滿足的任何特殊要求,請聯系我們。

LEYSOP pockels cell示例規范

范圍性能
光圈8mm
波長范圍0.3-1.2μm
半波電壓 @ 1.06μm3.75kV
最大電壓8kV
光上升時間< 0.25 納秒
對比度 @ 1.06μm> 600:1
電容未端接~20pf
損傷閾值 Q 開關600MW/cm2
插入損耗2% 到 3%
終止HVBNC 或 M2.5 螺柱

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